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起底MicroLED CPO光互连产业链


2026/06/22 admin

AI数据中心的规模扩张,让芯片互连的功耗与带宽问题变得愈发棘手。传统铜缆在800Gbps以上场景下可用距离已压缩至1米以内;主流有源光缆虽能支持更长传输,但功耗是铜缆的数倍,故障率更高出铜缆100倍以上。两者都难以满足下一代AI算力集群对高速、低功耗、高可靠互连的综合要求。在这一背景下,Micro LED CPO作为一种新型光互连方案进入产业视野。
 
Micro LED CPO以“宽而慢”的并行低速架构取代传统的高速串行设计,通过数百个低速光通道并行传输,在架构层面省去DSP、ADC/DAC、CDR等高功耗组件,单比特能耗仅1~2 pJ/bit,整体功耗目标约为铜缆方案的5%,且Micro LED阵列可在1mm2内集成400个以上通道,结构简洁、温度不敏感、可靠性高。
 
尽管传输距离目前局限于10米以内,但Micro LED CPO恰好覆盖了数据中心机柜内Scale-Up芯片互连这一铜缆与硅光CPO都难以兼顾的场景。正因如此,这一技术路线在近期迅速吸引了全球科技巨头与半导体企业的关注,各方结盟布局动作频频。
 
海外企业结盟抢攻Micro LED CPO市场

实际上,整个Micro LED CPO赛道目前仍处于标准制定与技术摸索同步推进的阶段。芯片尺寸、单通道速率、传输距离、接收端采用PD光电二极管还是CMOS传感器阵列,业内尚无定论。各厂商眼下争夺的是规格定义的话语权,结盟与资源整合是目前企业布局Micro LED CPO的主要打法。率先入局的既有微软、Marvell这类巨型平台,也有Avicena、Hyperlume这样的初创力量。
 
Micro LED CPO
 
微软MOSAIC是“宽而慢”思路的代表方案。传统800Gbps链路通常切成8个100Gbps高速通道,MOSAIC则铺设400个2Gbps低速光通道并行送数据(以20×20阵列形式集成,面积不足1mm²)。
 
由于单通道速率低,前后端信号均衡需求大幅简化,DSP、ADC/DAC、CDR等高耗电组件均可省去,方案功耗仅3.1~5.3W,较主流光链路方案降低56~68%。另外,多芯成像光纤的引入,则解决了数百通道并行传输的布线难题。
 
Micro LED光互连技术开发商Avicena的LightBundle方案采用不同路径,以GaN基Micro LED阵列搭配PD接收端,借助台积电先进制程优化芯片集成工艺,基础带宽512Gbps,可向上扩展至896Gbps,单比特能耗1~2pJ,传输距离稳定在5米。
 
2026年3月,Avicena还与ams OSRAM签署联合开发协议,后者在车用照明Micro LED领域累积的量产经验可对接LightBundle,可缩短从样品到大批量生产的周期。
 
Marvell作为光通信DSP领域的领先厂商,则选择与Mojo Vision联手,进行防御性卡位,避免因Micro LED CPO省略DSP环节,导致公司失去未来市场竞争力。
 
高速连接解决方案提供商Credo则更为直接,在2025年第三季度收购加拿大Micro LED光互连初创企业Hyperlume,规划推出可靠性媲美AEC铜缆、传输距离达30米的新品类ALC,计划2027财年送样,2028财年开始量产爬坡。
 
目前来看,欧美巨头与初创企业已将Micro LED CPO的技术雏形勾勒成形。但各阵营在芯片规格、接收端方案、系统集成路径上的差异不小,行业标准的最终确立仍需时日。未来两到三年,将是规格竞争最为激烈、产业格局成型的关键窗口期。
 
面对Micro LED CPO,中国企业优势在哪?

将视线转回中国市场。中国是全球最大的LED产业聚集地,面对Micro LED CPO这条新兴赛道,中国厂商有着相对成熟的产业底座可以依托。
 
其一是国产LED产业链纵深完整。从上游外延片(GaN、InGaN材料生长)、芯片端的刻蚀与微缩化工艺,到中游巨量转移、驱动IC集成,再到下游模块封装与测试,中国企业已具备端到端协同的能力。尤其是在芯片端,三安光电、京东方华灿光电、乾照光电、兆驰股份等LED大厂在外延与芯片层根基深厚,可为光通信提供稳定光源。
 
其二是规模化制造与成本管控的实战经验。Micro LED CPO量产难点之一是将数百乃至上千颗微型LED芯片以极高良率集成进一个光互连模块。相关研究结构数据显示,当前单颗Micro LED芯片成本约0.5~1美元,800G模块需460颗,1.6T模块需920颗,单模块光芯片成本动辄数百美元。
 
而业内计划到2028年降本目标锁定在0.1美元每颗以下,背后对于良率与工艺成熟度要求大幅提升。国内LED厂商在微缩化制程与大规模降本上多年累积的经验,与这道关卡较为契合。
 
其三是较大的本土市场需求,可直接承接Micro LED CPO的落地验证。中国作为全球最大的AI算力基础设施建设市场之一,国内智算中心与数据中心扩张速度较快,为新型光互连方案提供了较为充裕的本土试错空间。
 
本土客户群体的体量优势,既压低了新技术从试验到商用的迁移成本,也让国内企业在产品迭代节奏与议价空间上比海外同行更有底气。三个层面相互衔接,国内供应链在这场全球竞赛中具备较为充分的话语权基础。
 
中国企业Micro LED CPO布局与业务落地情况

供应链优势能否兑现为市场份额,最终要看企业的项目推进情况。中国大陆与台湾地区厂商在Micro LED CPO上选择了不同的切入路径。
 
大陆企业的入场Micro LED CPO的方式多元,既有传统LED厂商向光通信延伸,也有跨界合作谋求突破,整体以样品研发和客户验证为主,正稳步向商业化推进。京东方华灿光电、兆驰股份、三安光电、乾照光电、芯元基半导体、利亚德、赛富乐斯、蔚蓝锂芯、思特威等企业已有实际业务布局进展。
 
Micro LED CPO
Micro LED CPO 2
 
台湾地区企业的打法以垂直整合为主——面板与LED大厂依托集团内部资源协同,快速搭建从光源到模块的完整链路,目标是在行业标准定型前完成卡位。
 
最具代表性的是友达光电,其将集团内光源供应商富采与光电二极管厂鼎元整合进来,导入玻璃RDL中介层方案,客户直接使用即可,无需自建巨量转移产线,明显降低了导入门槛。目前,友达已与国际AI及光通信厂商开展系统级CPO导入测试,预计2至3年内逐步推进商业化。
 
另外,就在5月底,友达与法国Micro LED技术企业Aledia宣布达成战略合作,开发融合高亮度、低功耗及高分辨率的新一代Micro LED显示技术。未来还将进一步向光通信等领域延伸。
 
錼创科技已与Brillink展开合作;群创光电则被业内看好将通过旗下bEMC(先发电光)的优势取得Micro LED资源,逐步建立起垂直整合能力与竞争门槛。
 
总的来看,海内外企业都在积极投入到这场由AI驱动的光通信新型技术竞争当中,但Micro LED CPO技术应用的规模化落地,尚需时间的沉淀。
 
赛富乐斯指出,从技术层面来看,Micro LED从显示跨界到光通信,要在维持显示所需的高亮度、高良率基础上,再叠加光通信对超高带宽、高速调制能力和精准光耦合的苛刻要求。对此, 公司正通过多年研发出的半极性氮化镓(GaN)材料以及6英寸硅基Micro LED产线以及规划中的12英寸产线来满足Micro LED芯片跨界应用需求。
 
晶科电子进一步分析了其中的难点,其认为,Micro LED CPO光互连的核心难点在于光源与光子、电系统的高效耦合及系统级集成。
 
作为面发光器件,Micro LED需与光波导、光纤或硅光芯片实现高效耦合,这对发光角度控制、光场分布及微纳对准精度要求极高,耦合效率直接决定系统能效与传输性能。高速通信场景下,器件还需具备更高的调制带宽与稳定性,并与驱动电路协同设计,这对外延结构、电流注入及热管理提出更严苛要求。
 
此外,CPO架构的光电共封装需在有限空间内实现光源、驱动芯片与光子器件的高密度集成,同时兼顾散热与可靠性,是系统级关键挑战。
 
因此,晶科电子认为,这本质上是光、电、热、结构多物理场协同工程问题。对此,晶科电子通过在LED器件封装及系统集成方面的长期积累,正在为Micro LED光互连的工程化探索奠定基础。
 
爱思强从MOCVD设备商的角度分析指出,Micro LED CPO面临的挑战首先是外延层的波长与亮度均匀性需要达到极高水准,以确保每个像素的光调制响应一致;其次是光通信用 Micro LED 趋向采用 200mm 硅晶圆以融入先进半导体制造生态,但 GaN 与硅之间的晶格失配应力显著高于传统蓝宝石衬底,需要专门的外延工艺开发;此外,光通信场景要求高电流驱动下的超高频率运行,外延结构也需相应优化调整。
 
爱思强目前以 AIX G5+ C 平台为核心,凭借单晶圆旋转、原位实时监控、原位清洗及全自动化等技术,为客户提供高良率、近零缺陷的 GaN 外延解决方案。近一两年,爱思强观察到Micro LED CPO领域的研发活动显著加速,并已积极与绝大多数下游客户及研究技术组织展开合作,提供针对性工艺优化。
 
CPO重塑Micro LED价值,双轨并行开启新红利

无论是台湾地区企业的垂直整合还是大陆企业的跨界联手,或是海外大企业的联盟,眼下Micro LED CPO产业落地仍以送样验证为主,规模化出货尚未到来。市场爆发节点何时出现、空间多大、又会以何种方式与Micro LED整体产业产生联动,是下一阶段产业各方关注的重点。
 
先看大盘,据TrendForce集邦咨询数据,全球AI专用光收发模块市场规模将从2025年的165亿美元增至2026年的260亿美元,年增逾57%,其中800G及以上规格占比将于2026年突破60%,高速模块需求的快速集中,为CPO技术路线的导入提供了市场基础。
 
在此背景下,TrendForce预估CPO在AI数据中心光通信模块的渗透率将从2026年的约0.5%逐年攀升,到2030年CPO技术的渗透率有望接近35%。
 
而Micro LED CPO光收发模块的出货放量节点预计最快出现在2028年下半年,2030年贡献产值约8.48亿美元。
 
Micro LED CPO不仅为AI数据中心带来更高效的数据互连方案,也在推动对整个Micro LED显示产业的发展。光互连赛道沉淀下来的工艺能力,包括Micro LED芯片极致微缩化、大规模巨量转移精度提升、严苛工业环境下的良率管控经验等会逐步外溢至Micro LED显示侧,将显示屏的制造成本逐步拉低,加速消费市场落地。
 
未来 显示与光通信应用的彼此互补,相互提速,将共同拉动Micro LED产业的规模化发展,Micro LED技术将形成双轨并行的局面。

结语

Micro LED CPO是一条从材料特性出发重新规划数据中心互连方式的技术路径。全球巨头的密集结盟与资本涌入,已经清楚反映出这条赛道的战略价值。
 
在AI算力基础设施长周期需求的牵引下,Micro LED CPO的产业意义已不止于光通信领域的一次技术迭代,更可视为整个Micro LED产业走向规模化成熟的新型路径。
 
Micro LED显示与光通信的双轨并行吸引的不止是资本目光,更将借助光互连领域的高溢价需求带动Micro LED制造工艺持续优化,再将光互连积累的巨量转移工艺与良率成果导回显示侧应用,最终实现双向赋能。(文:LEDinside Irving)
 
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