据韩媒TheElec报道，三星电子计划于2026年第三季度，向全球主要服务器及数据中心厂商批量交付支持CXL 3.1标准的下一代内存模块（CMM-D）样品，待通过...

5月12日，佰维存储发布公告，控股子公司广东芯成汉奇半导体技术有限公司（下称“广东芯成汉奇”）拟增资扩股，引入外部投资者广东国创科技创业投资有限...

据企查查信息显示，近日，合肥芯势力半导体有限公司（简称“合肥芯势力”）正式成立，注册资本1000万元，法定代表人为王灿。该公司由科创板上市企业佰维...

近日，新紫光集团在北京举办首届创新峰会，旗下前沿技术研究院正式发布自研“紫弦”三维化近存计算（PNM）架构，以3D DRAM与3.5D集成技术破解AI芯片“存...

随着全球内存需求持续飙升，即便是3至5年的长期供应协议也难以满足市场需求，这促使全球科技巨头纷纷探索新方式，以获得领先内存供应商的优先供货权。...

英特尔Z-Angle Memory（ZAM）技术已接近研发完成，正全力投入AI市场浪潮，试图挑战HBM作为高带宽内存主流方案的地位。 作为高带宽、大容量市场的重...

全球 3D NAND 正加速向 300 层及更高规格迭代，铠侠联合闪迪率先在超高密度堆叠技术上取得关键进展。据业内媒体披露，双方依托晶圆间铜直接键合工艺，...

受 AI 算力与高带宽数据传输需求拉动，全球主流存储厂商已全面启动下一代 DDR6 内存前置研发工作。据业内媒体消息，三星电子、SK 海力士、美光三大存...

据外媒The Elec报道，SK海力士混合键合工艺HBM产品良率实现改善，不过公司并未披露具体良率数值。SK海力士技术负责人金钟勋表示，采用混合键合技术的1...