全球市场研究机构集邦咨询最新研究显示，在今年度行动式内存猛烈的价格涨势之下，智能手机行动式内存搭载量的成长动能受到压抑，预估2017年智能手机行动式内存平均单机搭载量自3.7GB下修至约3.2GB，与去年相较为仅成长33.4%。
集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新研究指出，由于DRAM价格高涨，现货价格长期高于合约价格，然而，自本月20日起，主流的DDR4颗粒现货价开始微幅下跌，截至目前跌幅约1.92%，往合约价靠拢。不过，在制程转进后良率提升不易，以及各厂无重大产能开出情况下，预估全年度DRAM价格将维持上升格局。
集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新研究显示，随着下半年各家原厂最新64层堆栈的3D-NAND Flash产能开出，在三星及美光等领头羊带领下，预估第三季3D-NAND Flash产出比重将正式超越50%，成为 NAND Flash市场的主流制程，此外，由于新一代iPhone的备货需求将至，以及SSD应用需求稳健成长，预估下半年整体NAND Flash市场仍维持供需较为吃紧的态势。
集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新研究显示，服务器内存供给持续吃紧，且仍有供给缺口未能完全满足需求。其中原厂对LTA（Long Term Agreement）服务器制造商的平均出货达标率下滑至约八成，显示供给缺口仍有两成未能满足，甚至对其余中国大陆等ODM厂的出货达标率下滑至六成左右。预估在需求缺口仍维持的情况下，2017年第二季服务器内存价格涨势将延续，涨幅逾10%。
集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新研究显示，由于原厂先进制程质量问题频传，第二季标准型内存供货吃紧情况未见舒缓，价格涨幅超乎预期。就目前的成交价格看来，第二季4GB DDR4模组合约均价来到27美元，相较第一季的24美元，上涨幅度约12.5%。
