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外媒:三星支持的垂直芯片研发项目旨在将HBM的I/O性能提升10倍

尽管JEDEC预计将放宽HBM的高度限制,将HBM4的高度上限从775微米(µm)提高到约900微米(µm),但业界仍在不断探索突破传统HBM架构结构限制的方法。...

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转为长期协议,三星和SK海力士将重置大型科技公司存储器合同

随着内存成为超大规模数据中心自主研发人工智能芯片和大规模基础设施建设的关键瓶颈,长期供应协议正迅速成为新的行业标准,其期限也比之前预期的更长...

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三星SSD控制器导入RISC-V,逐步降低对Arm的依赖

据Wccftech报道,三星电子正开始在存储产品中导入开源指令集。三星新一代SSD产品线BM9K1将采用自研控制器芯片,并首次以RISC-V架构为核心,借此降低对...

三星 SSD 2026/04/10
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三星计划推出 Galaxy Z Fold 8 和“Wide Fold”以扩展产品线

据报道,三星正计划推出新一代折叠屏智能手机。ZDNet援引Tom's Guide的消息称,有消息人士透露,三星电子可能会在今年夏天发布其下一代折叠屏手机,其...

三星 2026/04/09
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三星据称已解决SOCAMM2翘曲问题

据韩媒ETNews消息,援引消息人士称,三星克服了SOCAMM2设计中的“翘曲”问题,这一难题曾是其下一代AI服务器内存模块SOCAMM2(系统级先进内存模块2)实...

三星 2026/04/08
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三星电子2026年Q1业绩指引创历史新高

4月7日,三星电子(Samsung Electronics)正式发布2026年第一季度未经审计业绩指引,交出史上最强单季成绩单。数据显示,一季度合并销售额约133万亿韩...

三星 2026/04/07
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存储巨头加注中国:三星、SK海力士2025年在华投资超万亿韩元

近期,三星与SK海力士公布2025年经营报告,两大存储芯片巨头在2025年持续加大对华投资,积极扩产以满足全球存储芯片需求。 三星电子2025年对位...

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韩国芯片巨头加大在华投资:三星西安工厂工艺升级 SK海力士提升两大工厂产能

“韩国芯片巨头加大在华投资,以应对人工智能领域内存短缺问题。”《韩国时报》3月30日以此为题报道称,最新报告数据显示,韩国两大芯片巨头三星电子与S...

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不追1.4纳米!三星Exynos 2800改用2纳米SF2P+制程

根据韩媒ZDNet报道,三星电子次世代系统单芯片(SoC)Exynos 2800(代号Vanguard)将不采用原先规划的1.4纳米制程,转而采用升级版2纳米GAA制程(SF2P...

三星 2026/03/27

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