研究报告


DRAM市场快讯 - 2026年1月28日

高科技产业研究报告

icon

发布日期

2026-01-28

icon

更新频率

每周

icon

报告格式

PDF

icon

会员方案

  • DRAM市场快讯


    报告介绍

    合约价格预测大幅上调,尤以PC应用领涨,后市仍看涨。现货市场因高价致先进产品交易停滞,需求转向价格较低的成熟制程。长鑫存储加速先进制程转进,预期全球产出占比攀升,并锁定高容量DDR5与HBM研发,致力提升设备国产化与高阶供应力。

    重点摘要

    • 合约飙涨: 市场预期强劲,价格涨幅预测显著上修,其中PC DRAM涨势最甚,且后市仍有上调空间。
    • 现货分歧: DDR4/5因涨幅过大导致采购暂停,惟供应短缺支撑高报价;DDR3凭借价格优势承接买气,成为主要交易动能。
    • CXMT策略: 长鑫存储将全面转向先进制程,全球产出比重预期显著提升。未来产品重心聚焦于高容量DDR5与HBM技术开发,并计划扩大导入国产设备,以强化高阶存储器之自主供应能力。

    目录

    1. Market Update
    2. TrendForce’s View
      • Capacity Deployment and Development at Each Fab of CXMT

    <Total Pages: 2>

    Capacity Deployment and Development at Each Fab of CXMT


    报告分析师

    吴雅婷

    郭祚荣




    DRAM市场快讯 相关报告



    DRAM市场快讯 - 2026年9月23日

    2026/09/23

    内存

     PDF

    受新厂产能未到位、原厂优先配置HBM与server DRAM,加上CSP受AI基础建设带动追加采购,DRAM供不应求格局延续,TrendForce上修4Q26合约价涨幅预估;PC与server涨势最强,其余应用涨幅趋缓。

    DRAM市场快讯 - 2026年9月16日

    2026/09/16

    内存

     PDF

    AI基础建设推升server DRAM需求,消费性DDR合约价持续走强;PC与手机市场成本压力加剧,品牌调整料源策略,DRAM紧缺格局料延续至2027年。

    DRAM市场快讯 - 2026年9月9日

    2026/09/09

    内存

     PDF

    存储器合约市场128GB模组溢价随需求调整而收敛;现货市场需求有限。客制化HBM(cHBM)透过base die逻辑化释放AI芯片空间并提升效能,惟面临散热、多源采购及高昂开发成本等挑战,采用者将集中于少数大型业者。




    会员方案





    分類