研究报告


DRAM市场快讯 - 2026年10月21日

高科技产业研究报告

icon

发布日期

2026-10-21

icon

更新频率

每周

icon

报告格式

PDF

icon

会员方案

  • DRAM市场快讯


    报告介绍

    Hybrid Bonding受惠制程微缩与高带宽需求,将成DRAM长期技术趋势,各应用逐步导入量产,惟时程仍受良率、成本与终端需求牵动。

    重点摘要

    • PC DRAM供给明年预期转为负成长,原厂在第四季报价中积极扩大涨幅。
    • 现货市场呈现分化,DDR5因供应紧俏与供应商惜售而难以取得货源。
    • Hybrid Bonding在传统DRAM可缩小晶粒面积并于未来世代导入,Wide I/O Memory将先由Edge AI应用带动。
    • HBM堆栈层数趋向收敛,16hi量产时程偏后,后续进展取决于良率与成本。

    目录

    1. Market Update
    2. TrendForce’s View
      • Wide I/O Memory Architecture
      • 8hi HBM to Become Mainstream in 2H27

    <报告页数:2>

    Wide I/O Memory Architecture


    报告分析师

    TrendForce




    DRAM市场快讯 相关报告



    DRAM市场快讯 - 2026年10月7日

    2026/10/07

    内存

     PDF

    原厂与CSPs完成多年期server DRAM长约,高比重的供给位元采用价格区间机制,其余维持季度议价;现货交易冷清、价格持平。Micron财报优于预期但合约价涨势趋缓,持续扩大SCA并锁定HBM供给。长约有助平滑存储器景气循环。

    DRAM市场快讯 - 2026年9月30日

    2026/09/30

    内存

     PDF

    部分CSPs客户积极追加server DRAM采购,推动原厂库存降低并带动合约价上涨。现货市场因假期维持震荡。HBM挤压产能,导致各应用领域供给偏紧,PC、智能型手机及模组厂纷纷透过调整采购策略或调升库存应对成本与供货挑战。

    DRAM市场快讯 - 2026年9月23日

    2026/09/23

    内存

     PDF

    受新厂产能未到位、原厂优先配置HBM与server DRAM,加上CSP受AI基础建设带动追加采购,DRAM供不应求格局延续,TrendForce上修4Q26合约价涨幅预估;PC与server涨势最强,其余应用涨幅趋缓。




    会员方案





    分類