研究报告


平板电脑


NAND Flash产业分析报告-4Q14

2014/11/28

半导体 , 闪存 , 消费性电子 +3

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回顾第三季的NAND Flash市场,受惠于苹果iPhone6/6Plus的NAND Flash需求备货强劲的带动下,让整体市况从上半年较为明显的供过于求转为供需均衡的态势,也让第三季NAND Flash颗粒合约价均价较第二季微幅增加5-6%QoQ,各家NAND Flash业者的营业利益率也普遍较第二季表现更为稳健...

DRAM产业分析报告-4Q14

2014/11/28

半导体 , 内存 , 消费性电子 +2

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全球DRAM产业由于第三季iPhone6出货在即,三大DRAM厂莫不备战,调配旗下产能以应付Apple庞大行动式内存的需求;排挤效应下,标准型内存产出减少,不光第三季合约价格持续上涨,供货吃紧下标准型内存仍蝉联毛利最高的DRAM产品。此举亦带动今年第三季DRAM产值达120亿美元,较上季成长11%,单季营收再度创下新高,在各DRAM厂产品比重调配得宜与先进制程产出增加下,其获利能力皆进一步提升。获利能力来看,三大DRAM厂中,三星仍表现最佳,营业利益率(Operating Margin)达42%,SK海力士则紧追在后达40%,美光集团由于生产主轴仍以30nm制程为主,毛利率约24.1%,为三大DRAM厂最低。但在DRAM产业寡占结构下,市场仍是维持稳定获利的格局走势,预估2014年DRAM产值可望来到461亿美元,2015年更将来到520亿美元规模,预计成长近13%...

NAND Flash产业分析报告-3Q14

2014/08/29

半导体 , 闪存 , 消费性电子 +3

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回顾第二季的NAND Flash市场,虽然六月份在OEM厂商提前为第三季的出货做备货的带动下,整体盘势筑底反弹,但由于四月份与五月份整体市况呈现供过于求的情形,影响整体第二季的NAND Flash颗粒价格平均较前季下滑5-10%,供货商的营收与营业利益数字也同步下滑...

DRAM产业分析报告-3Q14

2014/08/29

半导体 , 内存 , 消费性电子 +2

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根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示,全球DRAM产业由于智能型手机的高度成长,在产能调配下,行动式内存已经跃升为比重最高的产品;受排挤效应影响,标准型内存产出减少,且因供货吃紧带动,成为毛利最高的产品,使第二季合约价格呈现持续上涨趋势。今年第二季全球DRAM产值单季营收达百亿美元规模至108亿美元,较上季成长9%,在各DRAM厂产品比重调配得宜下,其获利能力皆进一步上升。以获利能力来看,三大DRAM厂中,三星仍表现最佳,营业利益率(operating margin)达39%,SK海力士则紧追在后达38%,美光集团中以华亚科营业利益率达全DRAM厂之冠至55%最为亮眼。寡占结构与供货持续吃紧下,整体DRAM市场亦形成价格欲跌不易的市场格局。预估2014年DRAM产值可望来到468亿美元,较2013年大幅成长36%...

DRAM产业分析报告-2Q14

2014/06/09

半导体 , 内存 , 消费性电子 +2

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根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示,全球DRAM产业进入寡占结构后,市场从去年开始进入全面获利的状况;即使SK海力士无锡厂于第一季逐步恢复产出,仍无损其获利结构...

NAND Flash 产业分析报告-2Q14

2014/06/06

半导体 , 闪存 , 消费性电子 +3

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回顾第一季NAND Flash市场,虽然产出成长率因SK海力士产能尚未恢复正常以及各家制程转进还没加速之际,仅有6.1%QoQ,但由于淡季效应冲击需求端,以至于整体市况偏向供过于求,使得第一季NAND Flash颗粒合约价均价较去年第四季下跌18-20%,供货商的营收成长动能与营业利益表现也较第四季下滑...

DRAM产业分析报告-1Q14

2014/03/06

半导体 , 内存 , 消费性电子 +2

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根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示,SK海力士无锡厂投片逐渐恢复正常水位,原先在去年第四季呈现供货吃紧的状态获得舒缓,合约价格开始缓步下调...

NAND Flash产业分析报告-1Q14

2014/03/06

半导体 , 闪存 , 消费性电子 +3

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回顾第四季NAND Flash市场,虽然SK海力士无锡厂火灾影响NAND Flash产能的配置,但厂商原先对于第四季需求过于乐观,以至于整体市况转为供过于求,也让第四季NAND Flash颗粒合约价平均较第三季下跌13-14%,第四季NAND Flash供货商的营收成长动能与营业利益表现也较第三季停滞...

NAND Flash 产业分析报告-4Q13

2013/11/29

半导体 , 闪存 , 消费性电子 +3

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第三季末与第四季的NAND Flash市况,受到SK海力士无锡厂火灾影响明显。部分NAND Flash厂在无锡厂火灾后,迅速将NAND Flash产能挪移至DRAM,因此整体产出下降,让九月份价格止稳,也减缓原先预期第四季供过于求的市况,而造成价格下跌的压力。然而,在终端需求表现不如预期的情况,和厂商对于后续需求看法偏向悲观的影响下,TrendForce认为短期内NAND Flash产业的成长动能将相对受限...

DRAM 产业分析报告-4Q13

2013/11/29

半导体 , 内存 , 消费性电子 +3

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根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示,原本下半年在全球景气不明朗,DRAM价格预估将逐步往下的趋势下,由于SK海力士无锡厂大火使得供给面出现短期重大产能缺口,不光现货价格大涨40%来到DDR3 2Gb来到2美元价位,合约价价格最高成交价格至今亦来到34美元。但随着SK海力士于韩国场区增产与三星策略性投片增加下,原本受到SK海力士火灾影响上涨价格走势,将受到三星及SK海力士的计划而受到压抑,加上部份DRAM厂锁定整季的合约价格来议定,上涨格局已经遭到破坏下,第四季合约价以持平或是小幅下修的可能性增高...