产业洞察

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TrendForce:新款iPhone销售可望破亿,将助NAND Flash市场成长

5 October 2011

October 5, 2011 --- 苹果于美国时间十月四日上午十点(台湾时间十月五日凌晨一点),发表了其新一代的iPhone 4S,而非大众预期全新大改版的iPhone 5,整体外观样式与尺寸没有做任何变动,只做内部规格的加强。 虽然苹果推出的却是小幅改版的iPhone 4S,由于iPhone系列在长达一年四个月未推出新版本下,虽然一部分高阶者有点失望没有更大尺寸的屏幕或其他新功能,但还是消费者对iPhone仍有 着换机需求,加上iPhone 4S的速度提升,在如拍摄功能的应用上也有加强,因此其市场整体销售力道仍被看好。由于新iPhone一如往长直接内建高容量的NAND Flash,除了以往的16GB与32GB的版本外,还另推出更大容量的64GB版,对NAND Flash的成长也有带动的效果在。

Trend Force:库存回补,9月下旬NAND Flash合约均价微幅下跌

4 October 2011

根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查,虽然目前NAND Flash相关业者对欧美年终假期旺季销售预期多偏向保守,但基于部分系统厂商计划于10-11月份推出智能型手机及Ultrabook新机,故自9月初开始对新产品上市所需的备货做准备,再加上一些记忆卡业者,也在9月中开始对中国10月黄金周假期前的库存回补,虽然部份供货商在季底效应下采取降价促销的策略,但供货商则仍大致维持平盘。因此,9月下旬主流的NAND Flash合约均价仅出现小幅下跌,整体而言9月下旬来自系统厂客户的OEM订单需求仍好过于记忆卡通路市场的需求,因此TLC的价格也比MLC价格呈现相对地疲软。

DRAMeXchange: 九月下旬合约价DDR3 2GB续持平,DDR3 4GB跌破20美元关卡

28 September 2011

根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查,由于现货市场价格自九月中全面起涨,DDR3 1333Mhz 2Gb颗粒均价自1.1美元上涨至最高1.2美元,涨幅约9.1%,而DDR3 2Gb eTT颗粒均价涨幅更高达17%,来到1.1美元价位,现货行情亦牵动九月下旬的合约价格议定,DDR3 2GB合约均价力守10.5美元价位,DDR3 4GB在DRAM原厂积极推入主流规格,合约价格首度跌破20美元关卡,来到19.5美元,跌幅约在4.88%。

DRAMeXchange: 系统客户库存回补需求渐回温,9月上旬NAND Flash合约价呈现稳定格局

16 September 2011

根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查,随着部份系统产品客户自9月起,已开始准备4Q11新机型上市所需的库存回补所需。9月上旬主流的MLC NAND Flash合约价大致维持平盘,虽然记忆卡及UFD通路市场的需求仍然相对平淡,但也已呈现止跌回稳的状况。虽然3Q季底效应将近,但预期多数下游客户的年终销售旺季的库存回补需求可望持续到10月中,因此,短期内NAND Flash合约价也可望出现相对稳定的格局。

DRAMeXchange: 九月上旬2GB合约价持平开出,终止五个月连跌走势

14 September 2011

根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查,DRAM九月上旬合约价已出现跌势趋缓的走势,DDR3 2GB合约价持平开出,均价力守10.75美元,DDR3 4GB在DRAM厂力图拉高出货比例的策略下呈现价格小幅下滑,均价下跌4.65%至20.5美元,DDR3 2Gb颗粒价格约在1.13美元。从市场面观察,受惠于日系以及数家台系DRAM厂的减产效应影响,现货市场陆续出现价格反弹走势,价格上扬虽不过短短数天光景,但已显现供应端减产效应所带动的价格支撑,让低迷已久的现货价格出现反弹的契机。


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