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Kopin突破AI驱动微显示技术,打造出AR/VR原型机

近日,美国微显示器厂商Kopin宣布,其AI驱动显示技术NeuralDisplay在硬件和软件开发方面取得了关键突破,成功打造出可演示的原型机。该技术旨在降低A...

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广工团队联合迈为科技在Mini/MicroLED技术上取得重要突破

不久前,广东工业大学省部共建精密电子制造技术与装备国家重点实验室传来突破性进展。陈新/陈云教授团队联合苏州迈为科技股份有限公司等行业龙头企业...

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上海大学联合突破单组分白光量子点LED性能瓶颈

近日,上海大学杨绪勇/张建华教授团队联合美国密歇根大学,在顶级学术期刊《Nature Photonics》发表的最新研究中,通过创新的 "局部晶格软化" 策略,...

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澳洋顺昌:自主研发的蓝绿双峰芯片技术取得重要突破

近日,淮安澳洋顺昌光电在半导体光电技术领域取得重大进展——自主研发的 “单片集成蓝绿双峰芯片”(BG共晶芯片)核心技术正式获得国家知识产权局两项发...

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厦大联合未来显示技术研究院开发MicroLED侧壁钝化新方法

近日,厦门大学与厦门市未来显示技术研究院的研究团队在Micro-LED研究领域取得了重要突破,相关研究成果作为封面文章发表在《Advanced Optical Mater...

Micro LED 2025/09/11
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艾迈斯欧司朗UV-C LED辐射灭菌技术获得突破

艾迈斯欧司朗近日宣布,其全新UV-C LED在辐射消毒技术方面实现了效率和寿命上的提升,并通过德国联邦物理技术研究院(PTB)的评估验证。 UV-C...

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至芯半导体发布紫外核心杀菌265nm波段产品

2025新年伊始,至芯半导体有限公司(BeyondUV简称BUV)启航新篇章,在深厚的技术积累下推陈出新,隆重发布尖峰波段杀菌利器,聚焦在265nm波段的V1 Pr...

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WPE达7.4%,日亚化学量产高效深紫外LED

近日,全球知名LED制造商日亚化学(Nichia)宣布,公司已于2024年12月开始量产其全新深紫外LED(型号:NCSU434D),该产品的峰值波长为280nm。...

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西安交大制备出全球首款六方氮化硼同质结深紫外LED芯片

六方氮化硼(hBN)是重要的超宽禁带半导体材料,具有类石墨烯层状结构和独特的光电特性,在深紫外发光器件和探测器领域具有重要的应用。早在2007年,...

紫外 2025/09/11

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