·已向主要客户供应12层HBM4E样品 ·引脚速率最高可达16Gbps，同时改善性能与能效 ·采用先进MR-MUF技术，热阻降低17%，显著增强稳定性 ·“依托业界领...

英伟达与SK海力士6月8日宣布建立多年期技术合作伙伴关系，围绕全球AI工厂建设所需的下一代内存展开联合研发，并将AI技术应用于半导体芯片设计与制造。...

近日，三家存储器厂商三星、SK海力士、美光共同投资美国人工智能（AI）企业Anthropic的消息引发业界高度关注。 5月28日，Anthropic正式宣布完成H轮融...

据央视记者获悉，当地时间6月1日上午10时32分左右，位于韩国忠清北道清州市的SK海力士第四园区内，连接两个生产间的气体室发生火灾。 火情发生后，...

2026年第一季度，全球存储市场迎来超级周期，三星电子与SK海力士凭借内存价格飙升实现业绩暴涨，同时高企的内存成本开始反噬终端制造业务，AI驱动的HB...

据ZDNet报道，SK海力士正在与英特尔合作开展2.5D封装技术的研究与开发。 此外，SK海力士正在考虑采用英特尔研发的2.5D封装技术“嵌入式多芯片互连桥...

随着全球内存需求持续飙升，即便是3至5年的长期供应协议也难以满足市场需求，这促使全球科技巨头纷纷探索新方式，以获得领先内存供应商的优先供货权。...

据外媒The Elec报道，SK海力士混合键合工艺HBM产品良率实现改善，不过公司并未披露具体良率数值。SK海力士技术负责人金钟勋表示，采用混合键合技术的1...

·公司正式量产192GB的大容量产品，面向英伟达Vera Rubin平台设计 ·搭载基于1c纳米工艺的高集成度DRAM，实现能效最大化 ·“通过与英伟达紧密合作，缓...