研究报告


NAND 扩产趋势:供给位元提升由技术转进主导

高科技产业研究报告

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发布日期

2026-08-27

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更新频率

不定期

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报告格式

PDF

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    报告介绍

    NAND产业资本支出成长加速,但扩产态度克制。供给增量主因既有厂区无尘室填充与制程转进,新增产能有限。整体建厂规模远小于存储器,实际大规模产能释放需待后期,产业供给弹性高度依赖技术提升而非实体扩厂。

    重点摘要

    • 扩产策略保守: 资本支出虽增加,但原厂建厂规模远小于存储器,大多透过既有厂房填充无尘室与技术转进维持成长。
    • 前期供给来源: 新增投片主要集中于日本与中国大陆等特定业者的厂区扩建,以及美系厂牌针对人工智能服务器需求的储存空间填充。
    • 后期产能释放: 新加坡新厂与韩国大型园区的放量需待后期显现,中长期供给放量时程相对靠后。
    • 市场关键变量: 技术层数堆栈效益、双产品共享厂区的产能配置转移,以及设备搬入与验证时程落差,将深远影响实际位元产出。

    目录

    1. NAND新厂扩产相对克制,2027年供给增量主要来自制程转进与既有厂区填充
      • Distribution of NAND Flash Wafer Starts by Supplier

    <Total Pages: 4>

    Distribution of NAND Flash Wafer Starts by Supplier


    报告分析师

    敖国锋




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