研究报告


DRAM 新厂投资爆发:解析 2027-2030 年产能蓝图

高科技产业研究报告

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发布日期

2026-08-26

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更新频率

不定期

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报告格式

PDF

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    报告介绍

    全球 DRAM 厂商加速新厂建置与资本支出,新产能将于后年起分阶段释放。随着各大原厂无尘室与装机推进,大规模产能预计于后续数年间陆续开出,推动产业结构性供给扩张,实际位元产出仍受建厂变量与产品验证时程影响。

    重点摘要

    • 资本支出大幅增加:DRAM 产业供给持续紧俏,全球主要供货商大幅调升资本支出,加速建厂与设备导入。
    • 分阶段产能释放:
      • 第一阶段:各大原厂新厂陆续装机投产,新增供给将于后年开始挹注市场。
      • 第二阶段:多家供货商之次世代厂区与扩建项目将于后续数年进一步放大投片规模。
      • 长期规划:各国大型项目与新园区规划将于十年末陆续贡献产出。
    • 结构性供给扩张:产业供给将随新厂运作逐步增加,并于十年末前迎来规模扩张。
    • 产出不确定因素:建厂时程、无尘室启用、设备取得、产品验证及良率等变量,均影响最终实际位元产出。

    目录

    1. 全球DRAM新厂扩产进入密集投资期,新增供给将自2027年分阶段释放
      • Distribution of DRAM Wafer Starts by Supplier

    <Total Pages: 4>

    Distribution of DRAM Wafer Starts by Supplier


    报告分析师

    王豫琪




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