根据TrendForce集邦咨询调查显示，随着NAND Flash采购动能进一步收敛，第四季合约价将转为小幅下跌0~5%，终止仅两个季度的上涨周期。担忧市场后续走势以及供应链长短料问题将影响供给方的扩产规划，而后续的需求走势仍是观察指标。以目前来看，NAND Flash供应商对于2022年的扩产规划似乎有收敛态势，预估供给位元年增长率约31.8%；而需求位元年成长幅度为30.8%，在需求成长收敛，而在供应商针对高层数产品的激烈竞争下，将使2022年整体NAND Flash市场进入跌价周期。
根据TrendForce集邦咨询表示，随着后续买方对DRAM的采购动能收敛，加上现货价格领跌所带动，第四季合约价反转机会大，预估将下跌3~8%，结束仅三个季度的上涨周期。而在买卖双方心理博弈之际，后续供给方的扩产策略，与需求端的成长力道将成为影响2022年DRAM产业走势最关键的因素。照目前进度看来，2022年三大DRAM原厂的扩厂规划其实仍显保守，预估明年的供给位元成长率约17.9%，然而由于目前买方库存水位已偏高，加上2022年需求位元成长率仅16.3%，低于供给端的成长速度，2022年DRAM产业将由供不应求将转至供过于求。
根據TrendForce集邦咨询研究顯示，受惠于消费性快充产品需求快速上升，如手机品牌小米（Xiaomi）、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充电头，凭借高散热效能与体积小的产品优势获得消费者青睐，截至目前笔电厂商也有意跟进，使GaN功率市场成为第三代半导体产业中产值上升最快速的类别，预估2021年营收将达8,300万美元，年增率高达73%。
根据TrendForce集邦咨询调查，由于智能手机、Chromebook与电视等消费性产品今年下半年出货表现不如预期，零售端的存储卡、U盘等产品需求持续低迷，仅数据中心及企业端客户有较强的需求支撑。整体而言，采购端的库存水位正逐渐上升，并压抑后续的采购力道，NAND Flash 控制器IC缺货的状况亦随需求下降逐步缓解，因此，第四季NAND Flash报价将开始转跌，整体合约价将小跌0~5%。
根据TrendForce集邦咨询最新调查显示，第三季生产旺季后，DRAM的供过于求比例（以下称：sufficiency ratio）于第四季开始升高。此外，除了供应商库存水位仍属相对健康外，基本上各终端产品客户手中的DRAM库存已超过安全水位，此将削弱后续的备货意愿。因此，TrendForce集邦咨询预测，第四季DRAM均价将开始走跌，而部分库存量过高的产品单季跌幅不排除会超过5%，整体DRAM均价跌幅为3~8%。
