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铠侠计划2027年量产第十代BiCS 3D NAND闪存

据韩媒ZDNET Korea援引业内消息人士报道,铠侠(KIOXIA)将第十代BiCS FLASH(BiCS10)3D NAND闪存量产计划推迟至2027年,较此前曝光的2026年计划延后...

2026/05/26
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消息称三星电子完成900层超高堆叠3D NAND闪存原型开发

2026年5月25日,据韩媒ETNews报道,三星电子宣布利用单元多层键合(CMB) 技术,成功研发全球首个900层超高堆叠3D NAND闪存原型,并已验证存储单元正...

2026/05/26
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沐曦股份与迈富时签署战略合作协议

2026年5月22日,沐曦集成电路(上海)股份有限公司与迈富时在上海正式签署战略合作协议。双方将聚焦算力基础设施、企业级智能体中台及行业场景落地三...

2026/05/26
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东芯股份拟赴港发行H股上市

2026年5月23日,东芯半导体股份有限公司(简称“东芯股份”)发布官方公告,公司已于5月22日召开第三届董事会第十二次会议,审议通过发行境外上市股份(...

2026/05/26
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西安奕材武汉第三工厂主体封顶,125亿项目加速落地

2026年5月24日,西安奕斯伟材料科技股份有限公司武汉基地第三工厂项目主体结构顺利封顶。随着最后一方混凝土浇筑完成,这座国内12英寸硅片领域的重点...

2026/05/26
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美光马纳萨斯晶圆厂开始生产1α制程DDR4

日前美光位于弗吉尼亚州马纳萨斯的晶圆厂开始生产1α(1-alpha)DRAM芯片。 据介绍,1α DRAM节点是美国本土有史以来最先进的内存技术,非常适合用于...

2026/05/26
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环球晶计划下半年涨价

半导体晶圆制造商环球晶董事长徐秀兰25日在电话会议上表示,今年市况与去年不同,“相对好非常多”,但成本上涨,折旧摊提增加,正积极与客户沟通下半年...

2026/05/26
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SK海力士发布控温散热存储技术“iHBM”

·在HBM封装内集成冷却元件(ICE),优化高热集中区域的散热路径 ·热阻降低30%以上,确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性 ·采用经市场充分验...

2026/05/26
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总投资超40亿!5大储能与钠电项目加速推进

集邦光储观察获悉,近期涵盖储能系统、钠离子电池及核心材料等赛道的5大重磅项目密集迎来实质性进展。贵州新蒲1.5GWh储能项目、钠科能源及超钠子公司1...

2026/05/25

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