集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，第二季在Android阵营接续发布旗舰新机的带动下，全球智能手机市场总生产数量季增近3%。由于高端机种主流搭载容量升至6GB，且8GB的搭载占比也较去年扩大；加上市场供给仍旧紧缺，带动第二季合约价格微幅上扬，在量增价涨下，第二季行动内存产值来到88.69亿美元，季增5.1%，再创新高。
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新报告指出，NAND Flash市场在2018年第一季受传统淡季影响，导致市场转为供过于求。第二季随着智能手机需求复苏、中国智能手机厂商提升高容量产品的备货力道，虽位元出货量获得支撑，然而，NAND Flash仍是供过于求，第二季平均价格跌幅达15-20%。
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，正值8月中旬，厂商陆续开始议定第四季价格，原先业界普遍预期价格仍将持平开出，但由于供给持续增加，需求则不见明显回温，因此第四季整体DRAM价格走弱的机会逐渐升高。
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示，2018年第二季由于供给吃紧情况延续，带动整体DRAM报价走扬，DRAM总营收较上季成长11.3%，再创新高。除了图像处理内存(graphic DRAM)仍受惠于虚拟挖矿(cryptocurrency)需求的增温，带动价格有15%显著上涨外，其余各应用类别的内存季涨幅约在3%左右。
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，DRAM原厂已陆续与客户谈定7月份利基型内存合约价，价格大致和6月相同。展望第三季，预期DDR4利基型内存报价水平将较接近主流标准型与服务器内存，因原厂可透过封装打线形式的改变(bonding option)做产品类别更换。DDR3则呈现相对稳健的供需结构，报价预期没有明显变动。整体而言，第三季利基型内存价格走势预估将持平。
