集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，继6月中旬东芝断电事件后，日本政府近日宣布从7月4日起，开始管控向南韩出口3种生产半导体、智能手机与面板所需的关键材料，造成存储器产业下游模组厂出现提高报价状况，然而，由于目前DRAM和NAND Flash库存水位仍高，加上并非完全禁止原物料出货，仅是申请流程延长，短期结构性供需反转的可能性低。
根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院报告指出，由于现行射频前端器件制造商因手机通讯器件的功能需求，逐渐以GaAs晶圆作为器件的制造材料，加上随着5G建设逐步展开，射频器件使用量较4G时代倍增，预料将带动GaAs射频器件市场于2020年起进入新一波成长期。
集邦咨询旗下半导体研究中心（DRAMeXchange）表示，紫光集团于6月30日正式发文公告组建DRAM事业群，由曾任工信部电子信息司司长的刁石京担任事业群董事长，而CEO由高启全担任。这也是在晋华事件后，中国自主开发DRAM产品的另一新里程碑。
6月15日，东芝存储器公司四日市厂区遭遇长约13分钟的跳电（新Fab2、Fab3、Fab4、Fab5以及Fab6全体厂区皆受到冲击），目前整个厂房的营运仍未完全复工。对此，集邦咨询旗下半导体研究中心(DRAMeXchange)评估，此事件将使得Wafer短期报价面临涨价压力，第三季2D NAND Flash产品价格可能上涨，3D NAND Flash产品价格跌幅则可能微幅收敛。
根据集邦咨询（TrendForce）旗下拓墣产业研究院最新统计，2019年第一季全球前十大IC设计业者营收及排名出炉，前五名中仅有联发科维持小幅成长，其余包含博通、高通、英伟达与超威皆出现衰退，其中英伟达因库存尚未完全去化，衰退幅度最大，达24.4%。
