2016年DRAM产业市况转折相当大，历经上半年需求不振，持续跌价的态势，至第三季后，才在中国智能手机出货畅旺、笔电出货回温下，DRAM的平均销售单价开始大幅上扬。展望未来， TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）预估，2017年整体DRAM供给位元成长将小于20%，为历年来最低，在需求面没有明显转弱的前提下，预估全年度DRAM供给成长将小于需求成长，可望带动DRAM价格持续攀高，维持供货商全面获利的状态。
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）最新研究显示，受惠于强劲的智能手机出货、eMMC/eMCP平均搭载容量提升及SSD的稳健成长，第四季NAND Flash缺货情况达今年最高峰，各产品类别价格续创年度新高，预估缺货态势将持续至2017年第一季，届时企业级与消费级SSD合约价涨幅将超过10%，行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高。
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）最新研究显示，11月DRAM合约价格持续维持上涨格局，4GB模组均价来到18美元，月涨幅达2.86%。现货价格也持续上扬，DDR3 /4的4Gb颗粒价格分别来到2.6/2.53美元，月涨幅为6%与2%，表示市场普遍预期未来价格仍将走升。
TrendForce集邦科技旗下研究品牌拓墣产业研究所最新研究统计，2016年全球前十大无晶圆IC设计厂商营收中，高通（QCT）仍然稳居龙头宝座。而前三大业者高通、新博通（Broadcom）与联发科合计营收占前十名营收总和的65%，短期内领先地位不易受到撼动。
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）最新调查显示，受惠于智能手机需求强劲，及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少，第三季NAND Flash开始涨价，使得NAND Flash原厂营收季成长19.6%，营业利益率也较上季大幅进步。
