研究报告


2026年AI存储器展望:HBM3e价格上修与DDR5缺货潮

高科技产业研究报告

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发布日期

2026-01-15

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更新频率

不定期

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报告格式

PDF

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  • HBM 套餐_簡


    报告介绍

    受惠于服务器与AI强劲需求,DDR5产能排挤效应扩大导致价格飙涨;HBM3e因订单增加与规格升级,原厂议价能力提升使价格转为看涨。尽管SRAM具低延迟优势,但受限于成本与容量,短期难以撼动HBM的主流地位,两者将呈现互补关系。

    重点摘要

    • 需求驱动价格强弹:服务器相关需求热度不减,导致DDR5严重缺货,合约价与获利能力均显著攀升。
    • HBM3e行情上修:随着AI订单追加及部分产品转向采用HBM3e,供需吃紧使成交价回升,甚至可能消弭原先预期的跌幅。
    • 技术定位难以取代:SRAM虽在低延迟推论场景具优势,但受制于单位面积成本与可扩充容量,短期内无法取代HBM作为AI平台主存储器的地位。

    目录

    1. 前言
    2. SRAM低延迟特性受关注,然短期难以撼动HBM主存储器地位
    3. 原厂议价能力提升,HBM3e实际成交价仍存上修空间

    <报告页数:4>


    报告分析师

    王豫琪




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