受农历春节影响，二月利基型DRAM交易转淡，合约价涨势收敛。虽买方观望并消化库存，但主要供货商产能转向高阶导致旧世代供给短缺，现货溢价结构未变。在供应吃紧且节后需求有望回温下，价格具支撑，后市维持看涨格局。
本季PC DRAM合约价飙升，涨幅较前期显著扩大。虽笔电全年出货预估遭下修，但整机涨价预期推升短期通路需求，导致品牌厂库存下滑并转向模组厂抢货。原厂报价一致走高，且优先供货给品牌厂，导致对模组厂供给受限，推动颗粒合约价延续强劲涨势，现货市况则暂时盘整。
受库存见底与AI需求外溢至通用服务器影响，4Q25 DRAM营收成长主要由合约价飙升驱动，三星重返市占龙头。因供需失衡持续，台厂亦受惠于成熟制程转单。展望1Q26，淡季供给更紧俏，预期合约价涨势将进一步加速，成为涨幅最显著季度。
DRAM市场呈现供不应求，原厂库存低且议价权强势，带动合约价上扬，尤以PC与服务器端显著。现货涨势因与合约价差大而趋缓。买方为保货源多愿接受涨价，惟模组厂获利恐遭压缩；仅手机端库存相对稳健，整体市场为卖方主导态势。
展望2026年，全球主要CSP持续扩大资本支出建设AI基础设施，聚焦高密度GPU机柜与自研ASIC以优化成本。北美四大业者领头导入NVIDIA及自研芯片，推升AI服务器与ASIC占比。OEM端如Dell及IEIT则在激烈的同业竞争与地缘政治挑战下，积极布局AI方案争取市占。
AI带动HBM与存储单价回升，使记忆体产值超越并领先晶圆代工。反观晶圆代工受成熟制程疲软与扩产受阻影响，增长放缓。在空间受限下，记忆体凭借高效产出与价格弹性，成为产业增长主轴。
1Q26合约价议定递延，现货价高档持稳。主要大厂财报显示价量齐扬，库存见底且产能转向高利润AI产品，导致传统DRAM供应紧缩。尽管消费性需求受涨价影响转弱，但AI强劲需求足以抵销。HBM次世代规格竞争白热化，卖方市场确立，预期上半年价格将显著上涨。
受原厂产能转向高阶与DDR5影响，一月消费型DRAM供给持续紧缺，卖方掌握议价优势促使合约价续扬。因PC与服务器需求热络排挤产能，涨势将扩及全线产品。考虑供需失衡难解，机构大幅上修首季涨幅预期，短期价格无回落空间。
受供给缺口扩大影响，2026年初服务器DRAM合约价预期大幅飙涨。美系原厂率先调涨，韩系厂则策略性递延报价以推升成交水位。尽管原厂产能积极转移至服务器领域，买方需求仍未获满足，且主流规格正加速转向高速运算产品，整体市场供不应求。
