DRAM 3Q25合约价格已于8月完成，DDR5虽然涨幅较低，但出货量持续增长。现货市场冷清，DDR4受Samsung可能延迟EOL影响。TrendForce更新CXMT发展，未来两年重点在产能扩张、高价值产品及技术进步。
地缘政治与关税风险促使server ODM加速美国产线建置，AI server出货成长趋势明显，搭载NVIDIA及AMD新平台出货动能强，液冷技术提升相关冷板供货商业绩增长，整体市场需求虽保守但产能调度稳定，未来产能扩充及技术升级仍具成长空间。
合约市场谈判以三星压力较大，现货因供应紧张未跌；三星法说会聚焦HBM3e供过于求，价格或下滑，虽然成熟DRAM将涨价，三星仍优先投资先进制程与HBM，策略未因市况变动而改变。
2025年电子产业出现分歧，AI需求突出，消费性电子表现疲软。关税及补贴推动提前备货，打乱传统旺季规律，未来产业成长趋缓，AI独强其余承压，缺乏突破应用限制升级动能。
2025年下半年，DDR4市场因产能受限和需求强劲，出现结构性缺货与价格飙升，供应重心偏向server市场，使PC与consumer应用陷入高价低量困境，加速DDR5替换趋势，短期供需紧张难缓解。
PC DRAM第三季合约价普遍上涨，DDR4涨幅明显超越DDR5，市场供给紧张，DDR4成价涨量缩，Nanya积极调升制程产能推升价格，价格呈现高档盘整。
服务器模组需求因CSPs积极采购而推升价格，DDR4供给吃紧、合约价持续上扬，DDR5因高容量模组带动，价格亦稳步上升，但2026年需求增速预期放缓，价格将转为下跌。
DDR4市场持续供需失衡，特别是consumer DRAM订单满足率低迷，价格大幅上涨，买方虽有策略调整，但短期内涨势不减，惟随成本压力及产品转型，预期未来涨幅将收敛。
受供应减少及供货商间竞价追逐的双重影响，3Q25 LPDDR4X合约价格涨幅再度扩大；LPDDR5X则在市场情绪带动下同样出现上扬，惟涨幅相对温和。然而，价格的大幅波动进一步加重成本压力，对低阶手机市场的冲击尤为明显；预计短期内价格上行趋势难以缓解。
合约价格尚未尘埃落定，DDR4/LPDDR4x涨势明显；现货DDR4交易高于DDR5，DDR5价格下修。SK hynix出货佳受AI及关税帮助，DDR4动能推库存下降。HBM市场竞争加剧，新一代产品及定价动态将影响未来价格走势与供需。
