研究报告


DDR5供应缺口推升价格,2026获利将超越HBM3e

高科技产业研究报告

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发布日期

2025-10-22

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更新频率

不定期

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报告格式

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    报告介绍

    关税与政策使早期需求保守,然云端扩张与AI投资推升存储器需求与报价,DRAM供应转紧。DDR5涨势确立、获利有望超越HBM3e,供货商产能与价格策略将重塑市场格局。

    重点摘要

    • 早期受关税与政策影响,买方提前备货但终端保守;随云端扩张与AI投资加速,存储器需求转强、供给吃紧,DRAM报价走扬。
    • 服务器出货与单机容量同步提升,带动位元需求显著成长,供需缺口延续跨年度。
    • 近期合约价涨幅明显上修,部分品项更现急缺与强势涨势。
    • DDR5涨势延续、获利动能增强;HBM3e因竞局与库存承压走弱,价差收敛,DDR5获利可望反超,牵动产能与价格策略调整。

    目录

    1. 云端业者拉货动能强,2026年Server DRAM需求年增超过两成,将形成供应缺口
      • Projected DRAM Contract Prices for 4Q25 (Before and After Update)
    2. DDR5涨势确立,2026年获利将超越HBM3e
      • ASP between DDR5 and HBM

    <Total Pages: 5>

    ASP between DDR5 and HBM


    报告分析师

    王豫琪




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