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TrendForce:第三季行动式内存产值季增16.8%


24 November 2016 半导体 吴雅婷

TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)最新调查显示,受惠于全球智能手机进入传统备货旺季,加上各DRAM产品价格同步上扬,第三季行动式内存总产值达45.88亿美元,季成长约16.8%。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,第三季有苹果iPhone 7与三星Note 7旗舰机型发布,让全球行动式内存出货大增,纵使Note 7受爆炸影响于第四季宣布停产,先前的备料动作已为第三季行动式内存的营收做出贡献。

以三大DRAM厂行动式内存营收市占来看,三星半导体营收持续扩大到约64.5%,SK海力士约为22.8%,美光半导体为10.6%,三大主要DRAM厂的营收占比达97.9%,而排名第四的南亚科仅有1.3%。

吴雅婷指出,第三季行动式内存占DRAM总营收比例上升至43.5%,在Note 7停产后各品牌厂纷纷抢占三星失去的市场,且行动式内存价格上涨趋势不变的情况下,预计今年第四季行动式内存在DRAM总营收占比仍将持续扩大。

三星仍为技术领导者,获利能力为三大DRAM厂最高

就三大DRAM厂竞争能力分析,三星仍是行动式内存霸主,除20纳米制程已进入相当成熟的阶段,今年第四季更有LPDDR4 16Gb mono die正接受客户的验证,其技术领先业界,如验证成功,2017年的高阶手机将有望搭载8GB内存。此外,其18纳米制程技术也将于明年放量,有望进一步提升三星半导体部门获利。

SK海力士21纳米制程良率正逐步提升,加上适逢手机传统出货旺季,其行动式内存的21纳米制程的投片量也在第三季放大,SK海力士计划将21纳米制程良率推至更成熟的阶段,明年下半年也将导入18纳米的试产,提高自身竞争力。

美光集团先前由于财务状况不稳定,在行动式内存采取20/25纳米并重的策略,并以华亚科20纳米转进速度最快,专注于提供苹果阵营的需求,而非苹果阵营的行动式内存需求交由广岛厂与台湾美光内存的25纳米制程供应比重较高。明年美光集团也有望导入18纳米制程。

台系DRAM厂方面,受惠于行动式内存的生产比重提升,加上行动式内存涨价,南亚科在全球DRAM厂季营收市占从1.1%提升至1.3%。目前南亚科厂内正进入20纳米制程转换工程,该制程的行动式内存产能将于明年开出。

华邦电子第三季在全球DRAM厂的营收市占与上季持平,约0.8%,整体营收在客制化产品与ASIC产品价格提升后小幅成长,华邦电子新制程38纳米有机会于今年少量生产,且将优先利用在利基型内存与行动式内存上。


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