研究报告


DRAM市场快讯 - 2026年9月9日

高科技产业研究报告

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发布日期

2026-09-09

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更新频率

每周

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报告格式

PDF

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  • DRAM市场快讯


    报告介绍

    存储器合约市场128GB模组溢价随需求调整而收敛;现货市场需求有限。客制化HBM(cHBM)透过base die逻辑化释放AI芯片空间并提升效能,惟面临散热、多源采购及高昂开发成本等挑战,采用者将集中于少数大型业者。

    重点摘要

    • 合约市场:RDIMM需求转向中低容量,支撑大容量模组溢价逐步收敛。
    • 现货市场:市场仅见零星采购,仅特定颗粒具实质订单带动价格小幅上涨。
    • cHBM技术优势:Base die转进逻辑制程可释放芯片空间,并可整合控制器与简易运算单元以提升整体效能。
    • AI大厂布局:NVIDIA推出NVHBM,透过将控制器移入base die及提升单脚位速率以优化芯片面积与带宽。
    • 发展瓶颈与挑战:高功耗与散热压力增加、客制化阻碍多源采购,且开发验证成本昂贵,短期仅集中于少数大型业者。

    目录

    1. Market Update
    2. TrendForce’s View
      • Comparison of sHBM and cHBM

    <Total Pages: 2>

    Comparison of sHBM and cHBM


    报告分析师

    TrendForce




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