研究报告


铠侠 K2 厂震后无虞,NAND Flash扩产战略枢纽

高科技产业研究报告

icon

发布日期

2025-12-09

icon

更新频率

不定期

icon

报告格式

PDF

icon

会员方案

  • 闪存白金


    报告介绍

    日本地震未影响铠侠北上厂运作。在同业因AI热潮优先投资DRAM导致NAND Flash扩产受限下,具备充裕洁净室空间的K2厂成为关键。铠侠采稳健策略布局次世代制程,该厂将是未来市场供给趋紧时,极少数具备实质扩张潜力的战略筹码。

    重点摘要

    • 地震影响微乎其微:震度未达停机标准,北上厂区设备运作与晶圆产出完全正常,供应链未受波及。
    • 策略性稳健扩张:K2厂将采取稳健步调,聚焦于次世代制程技术的研发与演进,为高层数技术预作准备。
    • 资源排挤效应:受AI驱动HBM需求影响,主要竞争对手优先将资源倾斜于DRAM,导致NAND Flash扩产计划受到明显压抑。
    • 独家空间优势:相较于同业产能受限,K2厂拥有充裕的洁净室空间,是市场上少数仍具显著扩充潜力的亮点。
    • 掌握战略主导权:在未来NAND Flash供给可能趋紧的结构下,K2厂将助铠侠掌握调节供给与抢占市占的关键优势。

    目录

    1. 日本地震安然无恙,Kioxia K2厂为未来NAND Flash扩产关键枢纽
    2. DRAM排剂效应下,K2厂区成未来NAND Flash唯一扩张可能性,但投资心态保守
      • Kioxia’s Plans for Its Fab Sites

    <Total Pages: 4>

    Kioxia’s Plans for Its Fab Sites


    报告分析师

    敖国锋




    闪存白金 相关报告



    AI Agent 重组存储器阶层:新一代 NAND 成为储存下放关键

    2026/09/01

    闪存

     PDF

    AI Agent推升KV Cache与Token储存需求,使存储器架构重组。成本考虑驱使Token自高价HBM与DRAM下放至SSD。原厂积极推动HBF、SCM及SLC等新世代NAND应对寿命与延迟挑战,同时加剧晶圆消耗,布局先进产能成竞争关键。

    NAND 扩产趋势:供给位元提升由技术转进主导

    2026/08/27

    闪存

     PDF

    NAND产业资本支出成长加速,但扩产态度克制。供给增量主因既有厂区无尘室填充与制程转进,新增产能有限。整体建厂规模远小于存储器,实际大规模产能释放需待后期,产业供给弹性高度依赖技术提升而非实体扩厂。

    2026年8月闪存每月数据

    2026/08/17

    闪存 , 笔记型电脑 , 智能手机 , 平板电脑

     EXCEL

    TrendForce为您提供一个完整的NAND Flash产业分析,成本分析和价格预测。




    会员方案





    分類