研究报告


铠侠 K2 厂震后无虞,NAND Flash扩产战略枢纽

高科技产业研究报告

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发布日期

2025-12-09

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更新频率

不定期

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报告格式

PDF

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    报告介绍

    日本地震未影响铠侠北上厂运作。在同业因AI热潮优先投资DRAM导致NAND Flash扩产受限下,具备充裕洁净室空间的K2厂成为关键。铠侠采稳健策略布局次世代制程,该厂将是未来市场供给趋紧时,极少数具备实质扩张潜力的战略筹码。

    重点摘要

    • 地震影响微乎其微:震度未达停机标准,北上厂区设备运作与晶圆产出完全正常,供应链未受波及。
    • 策略性稳健扩张:K2厂将采取稳健步调,聚焦于次世代制程技术的研发与演进,为高层数技术预作准备。
    • 资源排挤效应:受AI驱动HBM需求影响,主要竞争对手优先将资源倾斜于DRAM,导致NAND Flash扩产计划受到明显压抑。
    • 独家空间优势:相较于同业产能受限,K2厂拥有充裕的洁净室空间,是市场上少数仍具显著扩充潜力的亮点。
    • 掌握战略主导权:在未来NAND Flash供给可能趋紧的结构下,K2厂将助铠侠掌握调节供给与抢占市占的关键优势。

    目录

    1. 日本地震安然无恙,Kioxia K2厂为未来NAND Flash扩产关键枢纽
    2. DRAM排剂效应下,K2厂区成未来NAND Flash唯一扩张可能性,但投资心态保守
      • Kioxia’s Plans for Its Fab Sites

    <Total Pages: 4>

    Kioxia’s Plans for Its Fab Sites


    报告分析师

    敖国锋




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