研究报告


DRAM/NAND Flash 2026 资本支出:AI 引领上修,产能仍受限

高科技产业研究报告

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发布日期

2025-11-07

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更新频率

不定期

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报告格式

PDF

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会员方案

  • 白金_简


    报告介绍

    AI引领存储器需求激增,促使资本支出预期上修。然而,由于无尘室空间有限及投资重心转向先进制程、高附加价值产品,而非单纯扩增产能,导致未来位元产出增长将显保守。设备商普遍看好AI驱动需求,但存储器技术门坎正持续提升。

    重点摘要

    • AI需求强劲,正推动存储器产业资本支出预期上修,尽管初期展望略显保守。
    • DRAM投资聚焦于先进制程与HBM相关产能扩建,但现有洁净室空间不足,限制了位元产出扩增。
    • NAND Flash资本支出转向混合键合技术与高层数堆栈,各供货商扩产策略存在差异。
    • NAND Flash需求受AI储存与云端服务供货商转单影响,形成结构性短缺,但厂商扩产态度仍审慎。
    • 存储器设备供货商普遍看好AI驱动的强劲需求,并强调先进存储器技术的复杂性与高门坎。
    • 整体产业投资重心已从传统位元产能扩张,转向制程升级与高附加价值产品,导致未来位元增长将有限。

    目录

    1. AI引领存储器浪潮,当前对2026年资本支出仍显保守,后续将出现上修
      • Major DRAM and NAND Flash Suppliers’ Respective Capex Figures
    2. DRAM资本支出概况–以1C/1 gamma转进与HBM相关产能扩建为主
      • DRAM Industry’s Annual Capex and Supply Bit Growth
      • DRAM Suppliers’ Fab Expansion Plans
    3. NAND Flash资本支出–整体水位仍显得保守,以高层数与QLC为优先
      • NAND Flash Industry Capex and Supply Bit Growth
    4. 设备商一致看好AI驱动需求;存储器未来的技术门坎持续提升
    5. 投资转向先进技术,DRAM与NAND Flash于2026年位元增长有限

    <Total Pages: 7>

    DRAM Suppliers’ Fab Expansion Plans


    报告分析师

    吴雅婷

    敖国锋

    王豫琪

    罗智文

    许家源




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