研究报告


DRAM/NAND Flash 2026 资本支出:AI 引领上修,产能仍受限

高科技产业研究报告

icon

发布日期

2025-11-07

icon

更新频率

不定期

icon

报告格式

PDF

icon

会员方案

  • 白金_简


    报告介绍

    AI引领存储器需求激增,促使资本支出预期上修。然而,由于无尘室空间有限及投资重心转向先进制程、高附加价值产品,而非单纯扩增产能,导致未来位元产出增长将显保守。设备商普遍看好AI驱动需求,但存储器技术门坎正持续提升。

    重点摘要

    • AI需求强劲,正推动存储器产业资本支出预期上修,尽管初期展望略显保守。
    • DRAM投资聚焦于先进制程与HBM相关产能扩建,但现有洁净室空间不足,限制了位元产出扩增。
    • NAND Flash资本支出转向混合键合技术与高层数堆栈,各供货商扩产策略存在差异。
    • NAND Flash需求受AI储存与云端服务供货商转单影响,形成结构性短缺,但厂商扩产态度仍审慎。
    • 存储器设备供货商普遍看好AI驱动的强劲需求,并强调先进存储器技术的复杂性与高门坎。
    • 整体产业投资重心已从传统位元产能扩张,转向制程升级与高附加价值产品,导致未来位元增长将有限。

    目录

    1. AI引领存储器浪潮,当前对2026年资本支出仍显保守,后续将出现上修
      • Major DRAM and NAND Flash Suppliers’ Respective Capex Figures
    2. DRAM资本支出概况–以1C/1 gamma转进与HBM相关产能扩建为主
      • DRAM Industry’s Annual Capex and Supply Bit Growth
      • DRAM Suppliers’ Fab Expansion Plans
    3. NAND Flash资本支出–整体水位仍显得保守,以高层数与QLC为优先
      • NAND Flash Industry Capex and Supply Bit Growth
    4. 设备商一致看好AI驱动需求;存储器未来的技术门坎持续提升
    5. 投资转向先进技术,DRAM与NAND Flash于2026年位元增长有限

    <Total Pages: 7>

    DRAM Suppliers’ Fab Expansion Plans


    报告分析师

    吴雅婷

    敖国锋

    王豫琪

    罗智文

    许家源




    白金_简 相关报告



    AI驱动Memory产值快速扩张,Foundry成长受成熟制程制约

    2026/02/05

    内存 , 闪存 , 晶圆制造/代工

     PDF

    AI带动HBM与存储单价回升,使记忆体产值超越并领先晶圆代工。反观晶圆代工受成熟制程疲软与扩产受阻影响,增长放缓。在空间受限下,记忆体凭借高效产出与价格弹性,成为产业增长主轴。

    美国存储器关税:供应链在地化困境与成本转嫁分析

    2026/01/26

    内存 , 闪存

     PDF

    美拟征存储器关税强化在地供应,惟韩厂受成本与时程制约,台厂因市场属性赴美意向低。若实施,高昂成本势必转嫁买方,且美国制造效益有限,厂商或更倾向日本等友岸外包策略分散风险。

    AI 架构重塑市场:存储器产业营收将连年创高 - 展望 2027

    2026/01/20

    内存 , 闪存

     PDF

    TrendForce指出,AI架构升级引领存储器结构性需求,DRAM与NAND Flash成关键资源。受惠CSP扩大投资,供需失衡推升价格与产值屡创新高。在高效运算强劲支撑下,供货商掌握定价权,缺货态势难解,整体市场营收成长动能将长期看涨。




    会员方案





    分類