AI带动HBM与存储单价回升，使记忆体产值超越并领先晶圆代工。反观晶圆代工受成熟制程疲软与扩产受阻影响，增长放缓。在空间受限下，记忆体凭借高效产出与价格弹性，成为产业增长主轴。
供给受限使合约市场呈卖方主导，价格看涨，惟现货高价已抑制买气。财报显示AI带动企业级SSD需求，推升韩系大厂获利。展望未来，业者聚焦制程升级与高容量技术以满足AI架构需求，资本投资侧重技术演进而非单纯扩产，预期市场动能将持续强劲。
2026年1月NAND Flash受AI及企业级需求支撑，加上原厂严控产能，呈现卖方主导的量缩价扬格局。TLC与QLC稳健上涨，MLC则因临近终止出货期限，涨势最为显著。尽管消费市场疲弱，但结构性需求使价格难以回调。
2026年1月NAND Flash受原厂缩减成熟制程产能影响，SLC与MLC供给吃紧，迭加车用与工控等利基需求稳健，合约价逆势全面上扬。由于产能结构性收缩难以逆转，供需失衡态势将延续，预期后市价格走势维持强劲，其中MLC因缺货更具价格弹性。
合约市场受原厂获利导向驱动，价格延续高档；现货市场虽价涨但买气观望，卖方坚持惜售。长存(YMTC)受惠新厂投产与技术提升，市占将显著增长，积极推动供应链国产化，并拓展高阶储存与DRAM研发，配合IPO计划转向获利导向，力拚成为全球全方位解决方案供货商。
受惠北美CSP推广AI Agent及Nvidia新DPU方案，引爆Enterprise SSD需求。因供货商产能转往DRAM导致严重缺货，买方激进备货推升合约价创历史新高。在产能受限且大容量SSD成AI关键组件下，供不应求恐将延续。
受生成式AI推动，高阶存储需求激增恐致产能短缺。美光遂于新加坡扩建先进晶圆厂，并执行重大战略转型，淡出行动装置市场，将资源全力转向高毛利的服务器与企业级SSD领域，以锁定数据中心对高效能存储的长期需求并扩大市占。
美拟征存储器关税强化在地供应，惟韩厂受成本与时程制约，台厂因市场属性赴美意向低。若实施，高昂成本势必转嫁买方，且美国制造效益有限，厂商或更倾向日本等友岸外包策略分散风险。
TrendForce指出，AI架构升级引领存储器结构性需求，DRAM与NAND Flash成关键资源。受惠CSP扩大投资，供需失衡推升价格与产值屡创新高。在高效运算强劲支撑下，供货商掌握定价权，缺货态势难解，整体市场营收成长动能将长期看涨。
1Q26受AI强劲需求驱动，NAND Flash开启超级周期。原厂严控产能并优先供应企业级产品，完全掌握定价权，导致全线价格显着上扬。尽管消费终端疲弱，但在结构性短缺下，涨势将延续，迫使买方接受高价，供应链面临成本与买气平衡的严峻挑战。
