展望2026年，全球主要CSP持续扩大资本支出建设AI基础设施，聚焦高密度GPU机柜与自研ASIC以优化成本。北美四大业者领头导入NVIDIA及自研芯片，推升AI服务器与ASIC占比。OEM端如Dell及IEIT则在激烈的同业竞争与地缘政治挑战下，积极布局AI方案争取市占。
TrendForce除针对主流DRAM市场提供产业分析以外，亦针对较利基的Consumer DRAM市场(主要为x16颗粒)提供各家供货商完整的产品规划、产出数量、以及价格走势分析。
AI带动HBM与存储单价回升，使记忆体产值超越并领先晶圆代工。反观晶圆代工受成熟制程疲软与扩产受阻影响，增长放缓。在空间受限下，记忆体凭借高效产出与价格弹性，成为产业增长主轴。
1Q26合约价议定递延，现货价高档持稳。主要大厂财报显示价量齐扬，库存见底且产能转向高利润AI产品，导致传统DRAM供应紧缩。尽管消费性需求受涨价影响转弱，但AI强劲需求足以抵销。HBM次世代规格竞争白热化，卖方市场确立，预期上半年价格将显著上涨。
受原厂产能转向高阶与DDR5影响，一月消费型DRAM供给持续紧缺，卖方掌握议价优势促使合约价续扬。因PC与服务器需求热络排挤产能，涨势将扩及全线产品。考虑供需失衡难解，机构大幅上修首季涨幅预期，短期价格无回落空间。
受供给缺口扩大影响，2026年初服务器DRAM合约价预期大幅飙涨。美系原厂率先调涨，韩系厂则策略性递延报价以推升成交水位。尽管原厂产能积极转移至服务器领域，买方需求仍未获满足，且主流规格正加速转向高速运算产品，整体市场供不应求。
受限于原厂供给紧缺，首季PC DRAM合约价呈现倍数级暴涨，且DDR4涨幅超越DDR5。尽管笔电整机涨价抑制了全年出货预期，但在库存水位偏低与新平台需求支撑下，合约价展望获大幅上修。主要原厂采取策略性延后报价，整体市况维持强劲多头格局。
多数smartphone品牌尚未正式启动1Q26 mobile DRAM议价，但从其他市场讯号来看，本季涨势将延续且强度高于前一季。目前美系客户己率先完成议价，中系客户预计年后抵定。整体DRAM市场供给持续紧俏，各产品的获利能力将成为资源取得与否的关键。终端方面，存储器涨价导致smartphone、notebook出货下滑与换机周期延长。在高成本环境下，品牌必须重新思考对策因应，以控制BOM成本与维持售价竞争力。
受惠于CSP与OEM业者之供给缺口，DRAM原厂议价能力增强，带动合约价显著上修。PC端库存下滑且模组厂报价高昂，原厂货源具吸引力；服务器端因获利跃居产业首位，促使产能倾斜。预期合约价将持续强劲上扬，买方磋商空间受限。
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