3Q25 Server DRAM营收因CSP补库存与AI需求强劲而显著成长，产能吃紧推升价格。DDR4受停产效应带动反弹，DDR5高容量模组比重增加。展望后市，供应短缺将引领合约价大幅续涨，促使买方积极锁定长期订单以确保料源。
行动式 DRAM 合约价出现「中高美低」，中系涨幅远高于美系。展望后续，原厂将以美系大幅补涨拉近区域价差，中系因议价延后仍有再涨空间。现货 DDR4高容量产品持续走强，价格回调有限，整体供给吃紧。存储器成本大幅推升手机物料成本比重，迫使品牌上调售价、加速汰旧机种以维持获利。
存储器价格在2026年第一季持续强劲上涨，BOM成本压力濒临临界点 。品牌商被迫冻结降价并缩减规格配置，终端销售预期面临严峻挑战。
受惠AI与CSP业者强劲备货，加上HBM产出扩张，DRAM产业价量齐扬。原厂库存降至低点且产能转向高阶应用，导致一般型DRAM供应紧缺。展望第四季，买方积极抢货加深供货商惜售心态，预期全线产品合约价涨幅将显著扩大，获利加速提升。
受惠旺季效应与合约价大涨，Mobile DRAM营收显著成长，原厂竞价更加剧涨势。虽智能型手机生产短期略为上修，惟存储器成本飙升严重冲击低阶品牌获利，未来产出恐面临衰退。随着产业加速转向高阶制程，供应链资源排挤将导致价格持续上扬。
展望明年首季，受库存偏低与供货商态度强势影响，合约价预期将显著上涨且具上修空间；现货价亦维持高档。长鑫存储虽产能扩张放缓，但藉由制程升级与优化行动及服务器产品组合，预期其全球市占与营收成长将大幅优于产业平均。
本报告结合了TrendForce在内存产业的专业优势，聚焦于汽车应用领域，开展深入的市场研究与分析。
2025年服务器DRAM合约价格大幅上升，主因供应紧张及原厂库存低水平下调涨幅度。云端服务商、OEMs均积极接受价格调升，预期2026年需求续增，原厂加速扩产应对，未来供给动态需持续关注。
PC DRAM 4Q25合约价大涨，受原厂供应偏紧及需求端库存补充影响，DDR4与DDR5均价持续上升，并可能推升PC整机价格与压抑销量。
Server DRAM需求大增推动11月价格涨势，consumer DRAM亦超过两成涨幅；DDR4、DDR3价格同步上扬，台系厂调整产能以获利。由于库存成本攀升，品牌商压力增，2026年消费型终端产品出货恐减少。
