受原厂产能转向高阶与DDR5影响，一月消费型DRAM供给持续紧缺，卖方掌握议价优势促使合约价续扬。因PC与服务器需求热络排挤产能，涨势将扩及全线产品。考虑供需失衡难解，机构大幅上修首季涨幅预期，短期价格无回落空间。
受供给缺口扩大影响，2026年初服务器DRAM合约价预期大幅飙涨。美系原厂率先调涨，韩系厂则策略性递延报价以推升成交水位。尽管原厂产能积极转移至服务器领域，买方需求仍未获满足，且主流规格正加速转向高速运算产品，整体市场供不应求。
受限于原厂供给紧缺，首季PC DRAM合约价呈现倍数级暴涨，且DDR4涨幅超越DDR5。尽管笔电整机涨价抑制了全年出货预期，但在库存水位偏低与新平台需求支撑下，合约价展望获大幅上修。主要原厂采取策略性延后报价，整体市况维持强劲多头格局。
多数smartphone品牌尚未正式启动1Q26 mobile DRAM议价，但从其他市场讯号来看，本季涨势将延续且强度高于前一季。目前美系客户己率先完成议价，中系客户预计年后抵定。整体DRAM市场供给持续紧俏，各产品的获利能力将成为资源取得与否的关键。终端方面，存储器涨价导致smartphone、notebook出货下滑与换机周期延长。在高成本环境下，品牌必须重新思考对策因应，以控制BOM成本与维持售价竞争力。
受惠于CSP与OEM业者之供给缺口，DRAM原厂议价能力增强，带动合约价显著上修。PC端库存下滑且模组厂报价高昂，原厂货源具吸引力；服务器端因获利跃居产业首位，促使产能倾斜。预期合约价将持续强劲上扬，买方磋商空间受限。
合约价格预测大幅上调，尤以PC应用领涨，后市仍看涨。现货市场因高价致先进产品交易停滞，需求转向价格较低的成熟制程。长鑫存储加速先进制程转进，预期全球产出占比攀升，并锁定高容量DDR5与HBM研发，致力提升设备国产化与高阶供应力。
美拟征存储器关税强化在地供应，惟韩厂受成本与时程制约，台厂因市场属性赴美意向低。若实施，高昂成本势必转嫁买方，且美国制造效益有限，厂商或更倾向日本等友岸外包策略分散风险。
受 AI server 与高阶运算强劲需求带动，存储器市场自 2H25 起进入超级涨价周期。存储器成本不断攀升，迫使品牌调高终端售价并收敛低阶机种，以因应成本压力。在此背景下，2026 年全球 smartphone 生产年减幅度在悲观情境下恐扩大至约 15%，甚至更甚。然而，在价格尚未出现止涨讯号且供应紧俏的情况下，多数品牌仍选择维持与原厂既定的采购数量，以确保资源配额。值得注意的是，本轮存储器涨价正推升各类电子终端售价，并进一步扩散为更广泛的消费电子通膨风险。
2026年受惠北美CSP资本支出强劲，AI服务器出货与营收占比显著提升，带动供应链扩产与液冷技术发展。鸿海、广达、纬创及元钛等业者积极布局整柜及数据中心系统液冷方案与海外产能，尽管地缘政治仍存变量，整体市场动能依然强劲。
TrendForce指出，AI架构升级引领存储器结构性需求，DRAM与NAND Flash成关键资源。受惠CSP扩大投资，供需失衡推升价格与产值屡创新高。在高效运算强劲支撑下，供货商掌握定价权，缺货态势难解，整体市场营收成长动能将长期看涨。
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