合约市场焦点转向新季度，旧制程产品涨幅明显。现货市场成交主力为DDR4，价格暂有压力但未现供过于求。库存向买方倾斜，PC、模组厂积极备货，部分产品供应吃紧，企业端则以去化库存为主，智能手机端出现库存分化。
LPDDR4X受原厂减产与EOL计划影响，供应急缩，带动价格飙涨。Smartphone品牌在供应及价格双重压力下加速转向LPDDR5X，惟中低阶机型因处理器限制转换不易。
DRAM市场3Q25合约价展望上涨，DDR4供给紧张推动新世代转进。Micron财报亮眼，高毛利产品带动绩效。HBM成长快速，DDR4逐步退场，公司将聚焦高附加价值产品，行业供给偏紧。
2025年第二季PC DRAM合约价持续上涨，供需变化使DDR4价格涨幅高于DDR5，原厂减供及市场提前备货推升价格，3Q25 DDR4甚至超越DDR5。Nanya供应增加也带动整体市价上扬。
DDR4停产消息引发抢货潮，现货及合约价大幅上涨，尤其DDR4 8/16Gb涨势最剧。供需失衡持续，后续合约价仍看涨，消费性DRAM也供不应求。DDR3因供给仍高，价格较稳定。
3Q25存储器市场因供给紧缩与旺季效应，旧规格如DDR4价格大涨，新品涨势有限。NAND Flash上涨收敛，仅企业级产品动能强。供货商策略产能调整及各类需求迭加，推升整体存储器价格高于预期。
DDR4因EOL效应推升价格与备货需求，市场聚焦特定业者；DDR5受CSP回补订单带动小幅增量，整体价格持平。CSP平台推动下，AMD于Server市场渗透提升，高频DRAM及新制程同步受惠，原厂获益空间增加。
AI市场主要由北美CSP及OEM客户带动成长，Blackwell平台新机种将扩大出货。中国市场因地缘政治影响AI方案供应，面临变量。整体AI服务器出货预期仍将维持双位数成长。
地缘政治影响及旧品停产促使DRAM价格走强，DDR4需求热度高于DDR5。Micron将于年底停产旧世代DRAM，市占与议价力提升。新技术与AI应用带动HBM成长，供给持续紧张。
美国或取消中国厂技术豁免，但因中国厂多采成熟制程，逐案审查下预期供应链仍维持稳定，市场冲击有限。
