TrendForce指出，AI架构升级引领存储器结构性需求，DRAM与NAND Flash成关键资源。受惠CSP扩大投资，供需失衡推升价格与产值屡创新高。在高效运算强劲支撑下，供货商掌握定价权，缺货态势难解，整体市场营收成长动能将长期看涨。
美光收购力积电铜锣厂房以加速扩充产能，双方同时签署DRAM技术授权与先进封装代工协议。此战略合作助美光解决AI带动的产能瓶颈，并强化力积电成熟制程竞争力，预期将显著提升未来DRAM产业整体供给量能与技术层次。
原厂为满足高毛利服务器需求，缩减PC DRAM供给并采差异化配货。受此供需排挤与成本转嫁影响，大幅上修首季合约价涨幅预测。面对价格涨势确立，建议买方应强化核心供应链关系以确保货源。
1Q26 DRAM受AI强劲需求驱动，产能排挤效应显著，确立为卖方主导的极端上涨周期。合约与现货价同步飙升，预测展望持续上修。原厂优先满足高获利服务器订单，导致消费型与PC领域面临严峻缺货与成本压力，整体呈现有价无量格局。
2026年服务器市场受惠于美中CSP强劲需求，AI服务器出货将显著增长。NVIDIA与Google自研芯片为主要动能，带动液冷技术普及。通用型服务器亦迎来换机潮，惟需留意PCB等关键零组件长交期带来的供应链瓶颈。
受AI强劲需求驱动，存储器产业转为卖方市场。原厂产能大幅向高毛利服务器倾斜，导致消费端供应严重排挤与库存告急。在结构性供需失衡下，原厂惜售推升价格，消费电子面临备货困难与产品降规压力，预期此供不应求态势将长期延续。
受惠于原厂转进新制程导致DDR4供给受限与惜售心态，加上现货价走强，推升Consumer DRAM合约价显著上扬。DDR3虽需求较弱，但因产出缩减且比价效应，价格同步走高。展望未来，高容量现货强势将支撑合约价于下一季持续看涨。
服务器DRAM因原厂库存见底与AI强劲需求，合约价格大幅飙升。HBM产能扩张排挤一般DRAM供给，导致市场严重供不应求。原厂优先满足主要CSP客户，部分客户合约量遭削减。预期未来季度价格将持续显著上涨，买方为确保货源只能接受涨势。
DRAM市况在三星领头下，合约价涨幅显著，以Server DRAM为首。现货市场无视年底盘点持续走强，DDR4供应紧缺。原厂库存低位掌握议价权；买方除部分头部大厂外，普遍面临库存下滑与抢货困境，供应链缺货与分配不均态势严峻。
2025年末PC DRAM合约价展现强劲涨势，涨幅显著扩大。原厂因产能吃紧实施策略性供货，优先满足战略客户，导致依赖模组厂之OEM成本结构大幅垫高。涨价预期驱动备货需求，卖方市场确立下，预估下一季度价格涨势将进一步加速，库存水位呈两极化发展。
