合约市场焦点转向新季度,旧制程产品涨幅明显。现货市场成交主力为DDR4,价格暂有压力但未现供过于求。库存向买方倾斜,PC、模组厂积极备货,部分产品供应吃紧,企业端则以去化库存为主,智能手机端出现库存分化。
LPDDR4X受原厂减产与EOL计划影响,供应急缩,带动价格飙涨。Smartphone品牌在供应及价格双重压力下加速转向LPDDR5X,惟中低阶机型因处理器限制转换不易。
DRAM市场3Q25合约价展望上涨,DDR4供给紧张推动新世代转进。Micron财报亮眼,高毛利产品带动绩效。HBM成长快速,DDR4逐步退场,公司将聚焦高附加价值产品,行业供给偏紧。
2025年第二季PC DRAM合约价持续上涨,供需变化使DDR4价格涨幅高于DDR5,原厂减供及市场提前备货推升价格,3Q25 DDR4甚至超越DDR5。Nanya供应增加也带动整体市价上扬。
DDR4停产消息引发抢货潮,现货及合约价大幅上涨,尤其DDR4 8/16Gb涨势最剧。供需失衡持续,后续合约价仍看涨,消费性DRAM也供不应求。DDR3因供给仍高,价格较稳定。
3Q25存储器市场因供给紧缩与旺季效应,旧规格如DDR4价格大涨,新品涨势有限。NAND Flash上涨收敛,仅企业级产品动能强。供货商策略产能调整及各类需求迭加,推升整体存储器价格高于预期。
DDR4因EOL效应推升价格与备货需求,市场聚焦特定业者;DDR5受CSP回补订单带动小幅增量,整体价格持平。CSP平台推动下,AMD于Server市场渗透提升,高频DRAM及新制程同步受惠,原厂获益空间增加。
AI市场主要由北美CSP及OEM客户带动成长,Blackwell平台新机种将扩大出货。中国市场因地缘政治影响AI方案供应,面临变量。整体AI服务器出货预期仍将维持双位数成长。
地缘政治影响及旧品停产促使DRAM价格走强,DDR4需求热度高于DDR5。Micron将于年底停产旧世代DRAM,市占与议价力提升。新技术与AI应用带动HBM成长,供给持续紧张。
美国或取消中国厂技术豁免,但因中国厂多采成熟制程,逐案审查下预期供应链仍维持稳定,市场冲击有限。