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关键字:吴雅婷共112笔

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TrendForce集邦咨询:零部件缺料状况持续冲击整机出货,PC及笔电端受影响程度最低

2022/01/10

半导体

根据TrendForce集邦咨询调查显示,全球晶圆代工产能在疫情、地缘政治、数位转型生活等因素驱动下,已历经近两年供不应求的市况,尤其是成熟制程 1Xnm~180nm短缺情况最为严重。虽然各晶圆代工厂皆积极拉升资本支出以扩大产能供应,但远水救不了近火,加上供应链资源分配不均的问题,使零部件缺料状况至今日仍未明确纾缓,整体将持续冲击相关整机出货,预期2022年第一季仅PC类别受影响程度较轻微。 时序进入2022年第一季,TrendForce集邦咨询表示,由于产能增幅仍然有限,对于市场的供给状况预估将约略与2021年第四季持平;惟部分终端产品进入传统淡季周期,需求动能趋缓可望减轻OEMs及ODMs对供应链备货的迫切压力。 服务器整机方面,目前以FPGA供货周期来到50周以上为最长,而网通芯片(Lan chip)的供货周期则有明显改善,由原先50周以上已缩短至大约40周,但伴随着疫情不确定性所催生加单动能与过往累积的积压性需求(Back order/ backlog),ODMs普遍的SMT产能均满载。上述现象不仅让FPGA与PMIC等IC去化速度加快,且FPGA、PMIC、 MOSFET追单需求仍较为迫切,整体市场依旧吃紧,未来服务器主板生产恐将因此面临隐忧。TrendForce集邦咨询由此推断,以L6服务器为例,其2022年第一季生产规模将与前季大致持平;而整机出货则呈现季节性衰退,季减约8%。 手机方面,缺料状态在2021下半年开始已逐渐缓解,部分也要归功于手机规格较能弹性调整,各品牌可依据既有料况调整其规格配置。目前较为吃紧的有四项零部件,其中4G SoC(30~40周)及OLED DDIC/Touch IC(20~22周)对市场影响较为显著,前者将对以4G手机销售为主的品牌产生冲击;后者则是分别受到寡占市场以及晶圆代工产能调整影响,故传出供应不足的杂音。其余两项如PMIC、A+G Sensor虽仍吃紧,但多数可以透过替代料的递补或是规格配置调整来降低缺料风险。生产方面,2022年第一季供应链状况基本延续前季表现,但受到2021年末的节庆需求不如预期,品牌必须适时调节在外的成品库存水位,加上冬季疫情搅局所带来的不确定性,预估该季生产表现将季减约13%。 PC及笔电方面,自2021年11月起,长短料当中的短料缺货状况有部分纾缓,因此2021年第四季PC ODMs出货量有所上修。相较手机与服务器整机,长短料不齐对PC与笔电端所造成的影响相对轻微,目前吃紧的零部件除了SSD PCIe 30控制器是因为Intel新平台转换递延,因此造成短期青黄不接现象导致供货周期约8~12周,其余如Type C IC、WiFi、PMIC皆逐渐缓解中。TrendForce集邦咨询预期,在整体供应链稳定度持续好转下,预估2022年第一季ODM厂笔电出货量仅季减51%,然若排除零部件缺货因素,后续各渠道销售状况也将是TrendForce集邦咨询需关注的另一大变因。 若有兴趣进一步了解并购买TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处相关报告与产业数据,请至https://wwwtrendforcecn/research/dram查阅,或洽询service@trendforcecn

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TrendForce集邦咨询: ASML德国柏林厂火灾,恐冲击EUV相关的光学零部件供应

2022/01/05

半导体

ASML位于德国柏林的一处工厂于当地1月3日发生火警,该企业主要为晶圆代工及存储器生产所需关键设备机台(包含EUV与DUV)的最大供应商,据TrendForce集邦咨询初步了解,占地32,000平方米的柏林厂区中,约200平方米厂区受火灾影响。而该厂区主要制造光刻机中所需的光学相关零部件,例如晶圆台、光罩吸盘和反射镜,其中用以固定光罩的光罩吸盘处于紧缺状态。目前该厂零部件以供应EUV机台较多,且以晶圆代工的需求占多数。若届时因火灾而造成零部件交期有所延后,不排除ASML将优先分配主要的产出支援晶圆代工订单的可能性。 独家供应关键机台EUV交期已长,可能影响先进制程转进时程 晶圆代工方面,EUV主要使用于7nm以下的先进制程制造。目前全球仅台积电(TSMC)与三星(Samsung)使用该设备进行制造,包括TSMC 7nm、5nm、3nm制程工艺,Samsung于韩国华城建置的EUV Line(7nm、5nm及4nm)以及3nm GAA制程工艺等。不过,受到全球晶圆代工产能紧缺、各厂积极扩厂等因素影响,半导体设备交期也越拉越长。 DRAM方面,目前三星及SK海力士(SK hynix)已使用在1Znm及1alpha nm制程上,美系厂商美光(Micron)则预计于2024年导入EUV于1gamma nm制程。根据TrendForce集邦咨询目前掌握,ASML EUV设备的交期落在约12~18个月,也因为设备交期较长,ASML有机会在设备组装时间等待该工厂所损失的相关零部件重新制造完成。 整体而言,ASML德国柏林工厂火灾对晶圆代工及存储器而言,将可能对EUV光刻机设备制造产生较大影响。而根据TrendForce集邦咨询的消息掌握,ASML所需的零部件亦不排除透过其他厂区取得,加上目前EUV设备交期相当长,因此,实际对EUV供应的影响仍有待观察。 若有兴趣进一步了解并购买TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处相关报告与产业数据,请至https://wwwtrendforcecn/research/dram查阅,或洽询service@trendforcecn

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TrendForce集邦咨询:需求淡季,预估2022年第一季DRAM价格跌幅约8~13%

2021/12/13

半导体

根据TrendForce集邦咨询表示,观察第四季各终端产品的出货表现,由于先前长短料窘境有所缓解,使笔电的出货总数与第三季大致持平。有鉴于此,随着PC OEMs端的DRAM库存周数有所下降,促使TrendForce集邦咨询进一步收敛明年首季的价格跌幅。但是,由于明年首季需求面将走入淡季,因此DRAM均价仍维持下跌趋势,预估明年第一季跌幅为8~13%,而后续的价格跌幅是否收敛则有赖库存压力能否舒缓,以及采购端对于后续价格变化上的预期性心理而定。 PC OEM库存去化略有成, PC DRAM价格跌幅获得收敛 来自于Chromebook的需求已呈现明显的衰退,但消费型与商务用的机种仍显得强劲。此外,由于先前短缺的部分零部件交期已开始改善,预估第四季的笔电出货量优于预期。展望明年第一季,由于需求走入淡季,且来自于2021年第四季的高基期,sufficiency ratio将进一步上升超过30%,DRAM价格仍处于明显的下行走势,惟PC OEMs库存会由先前的11~13周部分去化有成,故预期将有助DRAM价格跌幅收敛。而由于mobile DRAM价格也开始下跌,因此部分供应商已着手将mobile DRAM产能转向server与PC DRAM领域,合理推估PC DRAM供给量短期内也会同步升高。惟前述来自需求的正向因素将有助于价格跌幅的缩减,但仍无法扭转价格下行的走势,其中DDR4将下跌5~10%;DDR5则会下跌3~8%,然其渗透率仍低,因此对于整体价格影响仍不显著。 买方采购动能减缓,Server DRAM价格跌幅约8~13% 目前云端服务供应商(CSP)客户手中的server DRAM库存普遍落于6~9周,而enterprise客户更达8~10周,相较第三季底虽有小幅下降,但对整体拉货动能的挹注有限,故在买方评估在价格尚未跌落底之前,采购意愿仍显保守。而原厂的库存在2021下半年需求动能削弱下有逐渐增高的趋势,尤其部分原厂扩增server DRAM投片使得产出增加。此外,价格下行虽为买卖双方一致的共识,但随着供应链长短料问题逐渐改善,并伴随Tier1业者在淡季减少拉货力道,能连带促使Tier2客户先前受到Tier1排挤的订单需求受到满足,成为长料(server DRAM)采购力道的支撑。因此,预期明年第一季server DRAM跌幅将落在8~13%,应为2022全年跌幅最深的一季。 供过于求状况加剧,Mobile DRAM价格跌幅约8~13% 第四季受到mobile DRAM原厂积极求售的影响下,智能手机品牌厂在年末仍维持9~11周的高库存。展望2022年第一季,除市场即将迎来周期性淡季外,处理器套片的供应问题以及疫情干扰等因素,都将使该季生产表现呈现10%以上的衰退,意味着品牌端采购策略将更为谨慎,以避免继续堆高库存。受到品牌生产目标调降影响,目前对于mobile DRAM的需求较2021上半年疲软,导致供过于求的现况加剧,亦同时反映在原厂持续升高的库存水位。整体而言,伴随高库存以及供过于求的态势,将使智能手机品牌对于明年首季生产及入料计划更严谨。在原厂提出今年第四季与明年首季合并议价的销售策略,以及买卖双方的库存压力下,预估明年第一季mobile DRAM价格将再跌8~13%。 需求端好转及现货领涨,Graphics DRAM价格将持平 近期graphics DRAM的终端应用有较明显的需求好转,然该产品波动性相当高,加上虚拟货币价格的剧烈波动与NVIDIA及AMD随时可调整的销售策略(bundle或de-bundle),都会使graphics DRAM需求有快速起落的特性。目前三大DRAM原厂的graphics DRAM供货生产主要都以GDDR6为主,若更深入探究颗粒别,供应商已逐渐把重心从8Gb转往16Gb,其中以美光最为积极。然现下主流显卡仍以搭载8Gb为主,也是促使市场对于8Gb有加大拉货的原因。此外,GDDR5与GDDR6 8Gb现货价格有着相当剧烈的波动,使得目前现货与合约几乎无价差,部分交易更是有现货价高于合约价的情形,显示市场已出现追买的气氛。在上述需求端好转、美光减少8Gb供应、现货领涨的情况下,整体市场呈现不易下跌的氛围,预估明年首季graphics DRAM价格将大致持平。  Consumer DRAM DDR3供给减少仍难逃跌势,跌幅约3~8% 由于明年首季原本就属消费性电子产品的相对淡季,加上各国陆续解封之下,以电视为首的相关需求仍将维持低迷,恐将导致consumer DRAM需求较为疲软。此外,供应链的长短料问题仍在,采购对于相对长料的DRAM备货意愿恐不高。2021上半年DDR3大幅涨价使得原厂今年转换的步调相当缓慢,但目前市场跌价压力扩大,以两大韩系厂商为首,明年将重新回归把成熟的DDR3转向CMOS Image Sensor或其他逻辑IC产品。就价格面来看,DDR4受到以PC DRAM为首的需求疲弱,第四季价格已然转跌,预估在现货合约价差仍大的情况下,明年首季的合约价格跌幅将持续下探,故与其连动性高的consumer DRAM中的DDR4亦将受到牵连,预计跌幅达5~10%。而DDR3虽然供给逐渐减少,但价格同样难逃跌势,其中以4Gb走跌幅度较大,而2Gb相对较缓,跌幅平均约3~8%。 若有兴趣进一步了解并购买TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处相关报告与产业数据,请至https://wwwtrendforcecn/research/dram查阅,或洽询业务王春胜先生perrywang@trendforcecn 或何凤玲女士linnahe@trendforcecn 。

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TrendForce集邦咨询:预估2022年DRAM产值达915亿美元,下半年起可望扭转跌价态势

2021/11/04

半导体

根据TrendForce集邦咨询研究显示,2022年的DRAM供给位元成长率约186%,然而由于目前买方库存水位已偏高,加上2022年需求位元成长率仅171%,明年DRAM产业将由供不应求转至供过于求。尽管DRAM价格将因供过于求而出现下滑,但在寡占市场型态下,整体产值并不会大幅下跌,预估2022年的DRAM总产值将达9154亿美元,年增微幅上升03%。 TrendForce集邦咨询以明年各季度的供过于求比例(以下称:sufficiency ratio)作为预测基础,预期DRAM平均销售单价将年减15%,而价格下滑幅度在上半年较为明显;下半年起将受惠于DDR5的渗透率提升与旺季需求效应带动,均价跌幅将收敛,不排除有持平或涨价的可能性。 高层数产品竞争者众,NAND Flash明年产值再增74% NAND Flash方面, 2022年供给位元年增长率约318%;而需求位元年成长幅度为308%,故明年NAND Flash价格也将受供过于求影响而有所下滑。此外,由于NAND Flash属完全竞争市场,均价下滑的幅度较DRAM更加明显,然NAND Flash在层数结构的堆栈持续推进,故在供给位元成长仍维持在30%以上的情况下,预估2022年NAND Flash总产值仍有成长空间,达7419亿美元、年增74%。 同样以明年各季度的sufficiency ratio作为预测基础,推估2022年平均销售单价将年减180%,而价格下滑幅度也是在上半年度较为明显,下半年起将受惠于旺季需求效应带动,均价跌幅较为收敛,或有单季价格持平的可能性。 整体而言,DRAM与NAND Flash历年的总产值变化,由于两者竞争型态的不同,DRAM基本上在产能扩张上较有规律,故长期均价的波动性较小,同时20nm以下制程微缩已经逐渐达到物理极限,使得年度位元成长增幅有限;而NAND Flash在产能扩张的规划则较不稳定,再加上产品的层数仍能持续提升,故长期均价的波动性较大,进而呈现DRAM产值成长幅度不及NAND Flash的态势,但获利表现方面则反之。 资本支出持续拉高,产值若无法跟进成长,恐压抑厂商获利能力 从资本支出来看,DRAM方面,近年来其整体资本支出对营收占比(以下称:CAPEX to sales ratio)逐渐升高有两大原因,首先,由于DRAM的制程微缩已经逐渐面临物理极限,在20nm制程以后,除了美光(Micron)1α nm仍造就有近30%的单晶圆位元成长外,其他从1Xnm转至1Ynm、或者1Ynm转至1Znm制程,成长已经收敛至15%以内。2022年三星(Samsung)与SK海力士(SK hynix)的最先进制程将正式导入关键机台EUV,而该机台的生产交期长且造价高昂,使得三大原厂纷纷提前提拨大笔的资本支出,以因应EUV的前置订单。 其次,由于DRAM已形成寡占市场型态,即便偶尔出现均价下跌周期,也因为供应商的生产秩序形成,销售均价难以跌破总生产成本(fully loaded cost),故DRAM原厂能够逐渐累积来自该产品的生产获利。由于制程转进不易,除三大原厂以外,市占较小的南亚科(Nanya Tech)、华邦(Winbond)等厂商皆有实际扩产计划,成为DRAM 市场CAPEX to sales ratio持续升高的另一大原因。 NAND Flash方面,其CAPEX to sales ratio自2017年转进3D NAND技术以来即有显著提升,该年之前平均达25~30%,目前提升到平均近40%。主因是随着3D堆栈层数的上升,除了拉长产品生产所需时间,对于蚀刻难度、精准度的要求也一并提升,主流层数正朝向1YY层世代迈进,供应商同时开始研发2XX层产品技术,对于单次蚀刻深度的要求不断增加,显示出该产业所需的资本支出总额随着层数提升、产值增加而持续成长。 TrendForce集邦咨询表示,由于NAND Flash堆栈层数的技术推进,未来供应商仍将持续追求推进更高层数,以降低每GB的生产成本。因此,预期该产业的资本支出仍有增长空间,且CAPEX to sales ratio将维持在接近40%或以上。值得注意的是,若未来数年产值无法跟进支出的成长速度,恐将造成CAPEX to sales ratio过度上升,进而压抑供应商获利能力。 2021年,芯片产能紧缺席卷全球,半导体产业迎来结构性转变,存储行业亦面临着巨大的机遇和挑战。面对发展良机与各种不确定性因素,国内外存储企业该如何把握机遇实现突围?存储技术演进又将迎来哪些新趋势?11月18日,TrendForce集邦咨询将在深圳举办「全球视野 · 洞察先机 - 2022存储产业趋势峰会」,届时,产业链重量级嘉宾以及集邦咨询存储领域核心分析师将共同探讨2022年全球存储产业市场及技术趋势。会议详情请参考:https://seminartrendforcecn/MTS/2022/GB/index/ 若有兴趣进一步了解并购买TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处相关报告与产业数据,请至https://wwwtrendforcecn/research/dram查阅,或洽询业务何凤玲女士linnahe@trendforcecn 。

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TrendForce集邦咨询:2022年需求成长力道将小于供给,DRAM产业将进入跌价周期

2021/10/12

半导体

根据TrendForce集邦咨询表示,随着后续买方对DRAM的采购动能收敛,加上现货价格领跌所带动,第四季合约价反转机会大,预估将下跌3~8%,结束仅三个季度的上涨周期。而在买卖双方心理博弈之际,后续供给方的扩产策略,与需求端的成长力道将成为影响2022年DRAM产业走势最关键的因素。照目前进度看来,2022年三大DRAM原厂的扩厂规划其实仍显保守,预估明年的供给位元成长率约179%,然而由于目前买方库存水位已偏高,加上2022年需求位元成长率仅163%,低于供给端的成长速度,2022年DRAM产业将由供不应求将转至供过于求。 库存低及服务器业者需求回温,估2022年DRAM供给成长约179% 就DRAM供给面来看,2021年上半年采购方皆在供应链混乱的情势下扩大采买力道,也带动原厂的出货状况皆优于预期,DRAM库存水位也因此明显降低。随着服务器业者的动能回温,供应商也因此乐观看待其带来的DRAM需求成长。其中,三星、SK海力士皆有小幅增加投片,加上原厂制程持续朝向1Z nm及1alpha nm转进的带动下,预估2022年整体DRAM产业的供给端位元成长率将达179%。  首先,龙头厂三星(Samsung)主要投片增幅落在仍有较大空间的P2L,投片规模将有持续上修的可能。尽管目前增幅不大,主要靠先进制程的挹注,但仍将带动三星明年供给位元成长率达196%,为三大原厂之最。此外,值得一提的是,最新的P3L预计明年中完工,对于明年产出贡献尚低,但将持续提供该公司2023年以后的成长动能。 随着DDR3市况的走弱,SK海力士(SK hynix)旧厂M10明年DRAM投片有机会加速转换至逻辑IC产品;不过最新的M16厂在今年加入生产后,明年总产能将持续扩大,并配合市场状况动态做调整。以目前计划看来,SK hynix重心在1Y nm及1Z nm的制程提升,估计将带动其明年的供给位元成长率约177%。 美光(Micron)其A3厂周边新增的空间主要是辅助该厂往下一代制程做转换时,避免有产能减损(wafer loss),因此今明两年来看,其总产能其实变化并不大,该公司主要仰赖1Z nm及最新1alpha nm所带来的位元增加。照现阶段客户导入进度来看,美光的1alpha nm进展相当顺利,且是三大厂中转换最快的业者,预计明年的供给位元成长率为163%。 多数产品坐拥高基期,2022年DRAM需求成长预估仅163% 反观需求面,以DRAM消耗量占比最高的智能手机、服务器及笔电市场来看,此三大产品在2021年以来的成长力道相当强劲,然也相对垫高2022年的比较基础,使得明年生产或出货量要出现大幅成长的难度增加。除此之外,各大产业持续受零部件缺料所苦,终端产品组装受限将使相对身为长料的DRAM需求量下滑。整体而言,2022年DRAM需求端的位元成长率预估仅163%,将低于供给端的增速。 以智能手机领域来看,由于包含手机用的主芯片、driver IC等零部件缺料问题短期依然无解,将导致原本就是淡季的2022年第一季出货表现恐不尽理想。尽管后续随着厂商新机的发布,生产量逐季增加的可能性高,不过目前估计2022全年生产量约14亿台,年成长幅度仅约35%;且若半导体零件缺货延续时间更长,则该数字恐仍有下修风险。因此,2022年mobile DRAM领域的成长力道将主要来自于content per box(每台智能手机搭载DRAM容量)的提升,预估明年占整体DRAM市场消耗四成的mobile DRAM,其需求位元成长率仅约15%,相比过往动辄两成以上,该成长力道实属疲弱。 以服务器领域来看,该产业同样受到各种PMIC、被动元件以及东南亚组装受阻等供应链问题所扰,而该情况估计也将延烧到2022年,目前预计明年服务器整机出货总量年成长约43%,主要动能仍来自于云端服务供应商的扩建。随着2021年Intel Ice Lake的市占率开始攀升,配合原厂导入生产更多高单容量颗粒(16Gb mono die),市场对于64GB模块的需求显著上扬。此外,2022年在Intel下一代Xeon服务器处理器Sapphire Rapids的加入之下,估计64GB的渗透率将一举突破六成,将进一步带动2022年server DRAM需求位元成长率达20%,成长力道已属众产品中最高者。 以笔电领域来看,由于欧美国家疫苗普及率逐渐提升,预估明年笔电出货约222亿台,年衰退近7%。不过随着远距办公与教学将趋于常态,中长期而言笔电基数将有所成长,且不至于衰退至疫情前的水平。2021年上半年Chromebook持续为笔电产品中成长动能最强的类别,不过随着教育用笔电于今上半年加大备货,通路库存垫高的情况下,下半年Chromebook的需求将逐步下滑,取而代之的是商用笔电,预计此趋势将延续到2022年,搭载较高DRAM用量的商用笔电将带动明年PC DRAM需求位元成长率达15%以上。 位元出货成长受报价下滑抵销,2022年DRAM产值将大致持平 整体而言,2021年在采购端积极拉货的情况下,对于DRAM原厂是出货表现相当亮眼的一年;量增价涨使今年全年的DRAM产值有望突破900亿美元。不过随着第四季DRAM价格的反转向下,延续至2022年上半年的跌幅仍有扩大可能,2022年全年的DRAM平均销售单价(ASP)恐较今年衰退约15~20%,而原厂的出货成长幅度预估也将落在相似区间,意即整体DRAM产业出货的成长将受到报价下滑所抵销,故2022年DRAM产值约略持平今年。不过,由于2022年下半年的价格变化仍存变量,若有机会止跌翻扬,DRAM产值则可望再创佳绩。 2021年,芯片产能紧缺席卷全球,半导体产业迎来结构性转变,存储行业亦面临着巨大的机遇和挑战。面对发展良机与各种不确定性因素,国内外存储企业该如何把握机遇实现突围?存储技术演进又将迎来哪些新趋势?11月18日,TrendForce集邦咨询将在深圳举办「全球视野 · 洞察先机 - 2022存储产业趋势峰会」,届时,产业链重量级嘉宾以及集邦咨询存储领域核心分析师将共同探讨2022年全球存储产业市场及技术趋势。会议详情请参考:https://seminartrendforcecn/MTS/2022/GB/index/ 若有兴趣进一步了解并购买TrendForce集邦咨询旗下半导体研究处相关报告与产业数据,请至https://wwwtrendforcecn/research/dram查阅,或洽询业务何凤玲女士linnahe@trendforcecn 。

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