研究报告


2026年6月NAND Flash合约价格

高科技产业研究报告

icon

发布日期

2026-06-30

icon

更新频率

每月

icon

报告格式

PDF

icon

会员方案

  • 金级_简


    报告介绍

    受到人工智能、智能车载与网通基础建设需求带动,存储器市场呈现结构性缺货。原厂产能倾斜先进制程,导致成熟制程产出停态,推升整体合约价格稳步迈向历史新高,未来第三季传统备货旺季供需失衡恐将持续加剧。

    重点摘要

    • 市场动态:新兴多元应用备货热潮延续,带动整体存储器合约价格稳步迈向历史新高。
    • 供需失衡:原厂产能向先进高层数产品倾斜,成熟低密度制程产出停滞,导致市场面临全线结构性缺货。
    • 产品分化:极低库存与终端刚性需求推升SLC产品价格全面喷发;MLC产品则受限于买方成本压力,涨势转趋持稳。
    • 后市展望:第三季传统旺季将至,车用与工控等拉货潮将使供需失衡更形恶化,特定品项供给吃紧短期无解,其余则维持高价盘整。

    <Total Pages: 2>


    报告分析师

    罗智文




    金级_简 相关报告



    2026年7月DRAM合约价格

    2026/07/31

    内存

     PDF

    PC DRAM季度合约价持续上涨但升幅收敛,买卖双方陷入僵持。受服务器需求挤压影响,原厂未来产能将显著缩减;需求端则因终端售价上扬抑制消费,笔电出货大幅下滑。买方对价格高度敏感且积极抵制大幅调涨,惟原厂掌控议价主导权,刚性需求仍支撑价格坚挺。

    2026年7月NAND Flash合约价格

    2026/07/31

    闪存

     PDF

    市场因资源转向先进制程致利基型产能受压。SLC受网通、车用刚需及严重缺货带动,价格强劲暴涨;MLC虽有需求支撑,但下游成本负荷达极限,涨势收敛转趋盘整。预期后续市场走势将持续分化,SLC维持强势,MLC趋于平缓。

    2026年6月DRAM合约价格

    2026/06/30

    内存

     PDF

    DRAM合约价持续攀升,受地缘供应紧缩及未来供给预期负成长影响,原厂报价屡创新高。尽管终端成本转嫁面临压力,但通路库存偏低且补货需求强劲,促使后续价格涨幅预估调升;现货市场则在供需双缩下,愈加仰赖服务器产品支撑。




    会员方案





    分類