Mobile DRAM受惠合约价强势上扬，营收创新高并确立卖方主导的超级周期。原厂转向AI应用导致产能排挤，供给严重吃紧，CXMT趁势在成熟制程扩张。展望未来，价格将剧烈补涨推升原厂获利，惟高成本迫使手机品牌下修生产，市场呈价涨量缩态势。
4Q25 Mobile DRAM 营收在合约价大涨带动下，单季规模首度冲破百亿美元，季增逾三成。1Q26 进入淡季，位元需求将缩减，不过在合约价明显上调下，营收仍有望再创高点。市场结构方面，Samsung、SK hynix、Micron 搭配中系 CXMT 已形成高度集中的四强格局；台系 Nanya 与 Winbond 则受惠于大厂退出小容量市场，营收大幅成长，但总体占比仍有限。
2025 年全球 smartphone 生产表现呈温和成长；其中Samsung 与Apple 市占并列第一。不过，随存储器价格大幅上扬，2026年整体生产规模将明显下修，品牌因产品结构不同，将呈现两极分化。整体而言，存储器超级涨价周期将成为重塑2026年全球smartphone市场版图的关键变量。
1Q26 DRAM涨势由server、PC应用领先，smartphone用LPDRAM价格不排除于2Q26出现补涨。NAND Flash扩产保守、市场库存处于低档，2Q26亦具备续涨条件。存储器价格连续大涨导致消费型终端买气衰退，但在AI server强劲需求支撑下，整体存储器市场仍将维持短缺格局。与此同时，受制造成本大幅上扬影响，smartphone市场洗牌将加速，高阶品牌相对受惠较大。
记忆体产业于2026年受惠AI应用普及，由DRAM与enterprise SSD双引擎带动进入供需紧俏的「超级周期」。在原厂库存见底且产能扩张受限下，合约价预计维持双位数成长。即便消费性电子需求放缓，AI应用仍支撑强大动能。未来原厂将聚焦HBM4等高附加价值产品，并透过制程升级优化利润结构，卖方强势格局预计延续至2026年后。
受 AI server 与高阶运算强劲需求带动，存储器市场自 2H25 起进入超级涨价周期。存储器成本不断攀升，迫使品牌调高终端售价并收敛低阶机种，以因应成本压力。在此背景下，2026 年全球 smartphone 生产年减幅度在悲观情境下恐扩大至约 15%，甚至更甚。然而，在价格尚未出现止涨讯号且供应紧俏的情况下，多数品牌仍选择维持与原厂既定的采购数量，以确保资源配额。值得注意的是，本轮存储器涨价正推升各类电子终端售价，并进一步扩散为更广泛的消费电子通膨风险。
1Q26存储器价格涨势持续，全年迄今仍未出现明确止涨讯号。在这波超级涨价周期中，各品牌虽透过终端售价调整与产品结构优化勉力维持营运，但生产总数已转为年减且跌幅持续扩大。值得注意的是，即便前景展望悲观，但为避免未来面临更紧俏的供给与更高的采购价格，各品牌目前仍不敢轻易打破与原厂协订的LTA。
Smartphone市场自2H25起落入存储器供给吃紧、价格疯涨导致终端价格上调、需求转弱的死循环；面对此等不利环境，smartphone品牌将以下修产量、调整规格与价带因应。当前品牌暂未明显下修1Q26生产目标，但若需求衰退幅度高于预期，品牌势必收敛后续生产计划。
自3Q25起存储器涨势放大，该强势涨幅预估至少延续至1Q26，显著推升BOM cost 并迫使终端调价。鉴于此，TrendForce再次下修2026年全球 smartphone 生产总量，并且在成本续涨或经济恶化情况下，年减幅度将进一步扩大。未来走势将取决于品牌让利策略、其他零组件价格变化、规格缩减幅度以及各价位带的涨价容忍度等滚动调整，其中低阶产品面临最大压力与淘汰风险。
4Q25 中系smartphone 在存储器上的涨幅高于美系，促使原厂在1Q26 透过对美系「补涨」以平衡区域价差。初估中系客户的绝对价格可望略低于美系客户，但不排除因议价延后、或与2Q26合并议价而再扩大涨幅。此波存储器价格远超预期上行，显著推升smartphone BOM cost；在巨大的压力下，品牌只得提高新机售价、削减促销、或加速旧机 EOL等以维持营运质量与现金流。
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