国际大厂转攻先进制程并退出MLC市场，导致供给断层与价格上扬。然工控与车用等高可靠度需求仍存，使其转为高毛利利基产品。旺宏藉此趋势减产NOR Flash以扩充MLC供应，填补市场缺口并优化产品组合，确立关键供货商地位。
受AI强劲需求驱动，存储器产业转为卖方市场。原厂产能大幅向高毛利服务器倾斜，导致消费端供应严重排挤与库存告急。在结构性供需失衡下，原厂惜售推升价格，消费电子面临备货困难与产品降规压力，预期此供不应求态势将长期延续。
受惠AI服务器强劲需求，原厂产能转向高利润产品，导致其余应用面临严重缺货，推升合约与现货价格。目前供应端库存处于低档，市场重回卖方主导；PC与手机端库存因供货受限而下滑，仅云端大厂维持战略备货，预期在产能受限下，涨势将延续。
受惠于AI与企业级SSD强劲需求，原厂严控产能并向高阶应用倾斜，导致十二月NAND Flash Wafer合约价全面显著上扬，尤以TLC与QLC涨势最猛。目前市场仍由卖方主导，因供应吃紧且无扩产计划，短期价格上行趋势稳固，难以撼动。
原厂产能转往先进制程致使成熟制程供给紧缩，迭加电信、工控与车用等利基需求稳健及客户提前备货，推升SLC与MLC合约价全面上扬。展望后市，因产能缩减成定局且需求维持高档，供需失衡预期将使价格涨势延续至未来季度。
1Q26受AI服务器强劲需求驱动，存储器产业确立卖方市场。原厂产能重押高毛利服务器应用，导致供给结构性短缺。PC与消费端虽处淡季，仍因产能排挤效应面临缺货，DRAM与NAND Flash全线产品价格将显著上扬。
NAND Flash受限于供给控管，合约与现货价格同步走扬。美光财报显示营收与毛利率大幅跃升，主要受惠于AI与数据中心强劲需求。展望未来，高容量QLC与企业级SSD为关键动能，公司将持续聚焦高毛利应用以优化获利结构。
合约价受晶圆成本与积极拉货推升，涨幅续强。现货价在供给受限下创高。手机用NAND Flash因供需失衡带动欧美与中系价差收敛，合约价大幅补涨，连同DRAM推升Android整体成本，压缩中低阶机种空间。
存储器价格在2026年第一季持续强劲上涨，BOM成本压力濒临临界点 。品牌商被迫冻结降价并缩减规格配置，终端销售预期面临严峻挑战。
日本地震未影响铠侠北上厂运作。在同业因AI热潮优先投资DRAM导致NAND Flash扩产受限下，具备充裕洁净室空间的K2厂成为关键。铠侠采稳健策略布局次世代制程，该厂将是未来市场供给趋紧时，极少数具备实质扩张潜力的战略筹码。
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