合约价受晶圆成本与积极拉货推升，涨幅续强。现货价在供给受限下创高。手机用NAND Flash因供需失衡带动欧美与中系价差收敛，合约价大幅补涨，连同DRAM推升Android整体成本，压缩中低阶机种空间。
存储器价格在2026年第一季持续强劲上涨，BOM成本压力濒临临界点 。品牌商被迫冻结降价并缩减规格配置，终端销售预期面临严峻挑战。
日本地震未影响铠侠北上厂运作。在同业因AI热潮优先投资DRAM导致NAND Flash扩产受限下，具备充裕洁净室空间的K2厂成为关键。铠侠采稳健策略布局次世代制程，该厂将是未来市场供给趋紧时，极少数具备实质扩张潜力的战略筹码。
缺货效应导致NAND Flash合约与现货价格飙涨，库存告急引发市场恐慌性备货。同时，长江存储积极扩张产能并精进制程技术，更计划启动上市及跨足DRAM领域；其强劲的成长动能预期将显著提升市占与营收，进而改变全球存储器供应版图。
受惠AI推论应用爆发与HDD严重缺货，订单大量转向高容量企业级SSD。然原厂扩产保守，产能无法满足此波急单，导致供需严重失衡。在库存健康且供应紧缩下，预期第四季全线产品合约价将显著飙升，尤以晶圆涨幅最剧，整体营收获利将大幅成长。
存储器价格飙涨推高整机成本与售价，冲击消费市场。TrendForce因此下修2026年智能型手机、笔电和游戏主机的出货预测。游戏主机恐因成本压力放弃降价，转向高价保利。
供应紧张，加上AI与企业级SSD需求强劲，11月NAND Flash wafer价格大幅上涨，部分产品涨幅超过六成。原厂优先企业客户与高端产品，产能拉紧，预期涨势将持续至12月，消费性需求回温有限。
原厂持续减少SLC与MLC供给，电信、车用等需求强劲，导致NAND Flash合约价格持续上涨。MLC涨幅明显，SLC需求稳健，供应紧缩格局预期延续，价格短期内仍有上行空间。
企业级SSD市场在第三季因AI推论与服务器布建而强劲复苏，价量齐扬。供货商谨慎扩产，加上超大容量产品需求爆发，导致第四季供不应求，预计价格将大幅上涨，市场转为抢料。
第三季NAND Flash产业受惠于人工智能服务器带动的企业级固态硬盘强劲需求，营收成长。各原厂因减产奏效及企业级固态硬盘占比提高，平均售价上涨。展望第四季，人工智能应用及传统硬盘短缺将持续推升价格，各领域产品预期有显著涨幅，整体营收有望续增，原厂利润率可望持续改善。
