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TrendForce:受DRAM价格翻扬与NAND稳定成长之助,美光第三季财报优于预期


20 June 2013 半导体

根据全球市场研究机构TrendForce旗下记忆体储存事业处DRAMeXchange调查显示,主要受惠于DRAM现货颗粒价格自去年11月起至今涨逾二倍,近期现货市场价格DDR3 2Gb更上看2美元,美光在6月19号公布的第三季财报获利亦展现此市场趋势。营收来到23.2亿美元,较上季的20.8亿美元成长11.5%,整体获利结构也正式转亏为盈,净获利约4300万美元。

从市场面来观察,自今年二月开始,由于南科正式转型利基型内存公司,其华亚科的产能全数交由美光处理后,大幅贡献美光在标准型内存以及服务器内存的颗粒产出。往年由于DRAM产业竞争激烈,标准型内存长久来处于亏损状态,各DRAM厂皆策略性的转向其他更高毛利产品,产业转型下甚至退出DRAM市场,在供给逐步缩减下,2013年起PC DRAM的供给位不升反降,为历年首见。

韩系大厂包含三星、SK海力士亦积极降低标准型内存产出比重,转向行动式内存及服务器内存生产,此举让标准型内存产出近50%的美光半导体成为最大受益者。展望下半年,由于与日商尔必达的合并案即将于第三季尘埃落定,在并购后投片量将从原先的190K增加至370K,新美光集团在行动式内存市场将站稳一席之地。长远而言,在DRAM寡占型态已经成形的产业架构下,新美光集团在许多领域的竞争力都可望与韩系匹敌。

而从NAND Flash产品的营运表现来看,由于整体产业在今年NAND Flash供货商节制产出,并将多数产能转往系统产品以减低来自于零售市场低迷表现的冲击,因此第二季(四月到六月)的颗粒合约价格得以走稳,今年上半年市场供需较去年同期严重供过于求的情形有明显的改善。在成本改善上,美光持续稳健的由25奈米往下转进20奈米,并且积极将20奈米导入固态硬盘等高利润内嵌式产品,美光的20奈米的产出比重在今年第二季正式超越50%,成本竞争优势将随着20奈米比重的持续增加而开始出现,拉近与领导厂商的距离。同时美光目前现有NAND Flash产能为每月180K,在考虑产品组合优化的情况下,美光自第二季开始将部份新加坡Tech厂的DRAM产能移往NAND Flash,预期自第四季可望全面加入生产行列,年底产能将提升至每月200K的规模。

而从产品分布来看,美光持续将产品规划与产能移往内嵌式产品的营运主轴将持续不变,除了在固态硬盘以及利基型Flash应用有深厚的基础与市占率外,随着尔必达的合并案即将完成,行动式应用的eMMC与eMCP等将会是下半年积极切入的重点。因此认为除了NSG部门的营收可望持续稳健发展外,ESG与WSG部门也将因NAND Flash在嵌入式应用与行动装置的强劲成长而受惠,整体美光NAND Flash的营收成长动能可期。

从美光的产品结构做分析,伴随着正式整并尔必达的帮助下,标准型内存、行动式内存及NAND Flash将成美光产品未来的三大主轴,虽着明年DRAM产品计划导入2Xnm制程及NAND Flash导入1Xnm,由营业利益(Operating Margin)做衡量,尔后续可见的几个季度也将维持获利态势,不论是DRAM或者NAND Flash,只要市场逐步走向健康面及美光自身稳健的核心技术,都将在往后数年获得丰硕的回报,美光市占可望大举提升,成为淘汰赛中的最大赢家。


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