搜寻结果
关键字：杨文得，
共264笔
2016/12/21
集邦咨询存储研究(DRAMeXchange)最新研究报告显示，2017年NAND Flash整体投片产能仅年增6%，随着业者加速转进3D-NAND，2017年2D-NAND缺货情况将持续一整年，而3D-NAND在64层堆栈顺利导入OEM系统产品前，也将持续缺货，价格有望稳健走扬，使NAND Flash原厂营运表现持续往上。
位元产出年成长来自3D-NAND，第三季2D-NAND产出滑落至50%以下
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，在今年新增产能及制程转换同时进行的情况下，业者自2016年第二季起加速3D-NAND的制程转进，整体3D-NAND产出比重在年底前达到30%，而自明年起在整体投片产能仅年增6%的成长幅度下，多数业者将开始降低2D-NAND的供货来达到提升3D-NAND产能的目标，因此，DRAMeXchange预估，自2017年第一季起2D-NAND的供给量滑落的速度将加快，至第三季占整体NAND出货比重将滑落至50%以下。
然而，在3D-NAND的进展上，64层堆栈的3D-NAND Flash在良率与eMMC／UFS、消费级SSD、企业级SSD等OEM产品的导入上，挑战性皆增加，因此明年3D-NAND在64层堆栈的产品成熟前也将维持供应吃紧的状况，最快要到2017年第三季起才有机会成熟量产出货。
固态硬盘需求成长爆发，Flash消耗量占整体NAND Flash需求量达40%
从需求端来看，由于智能手机成长放缓、平板电脑出货持续衰退，相关行动式 NAND的需求成长动能将改由平均搭载量（Content per box）来驱动，而在新款iPhone出货主流为128GB下，其他智能手机品牌也加速提升eMMC／UFS的容量来提高产品竞争力。
DRAMeXchange预估，2017年第四季全球笔电出货的固态硬盘渗透率将超越50%，且企业级SSD的需求也随着服务器／数据中心的需求强劲成长而快速上扬，再加上固态硬盘的平均搭载量也持续增加，使得2017年整体固态硬盘需求成长率将高达60%，所消耗的Flash比重也将正式站上40%大关，为各项NAND Flash终端需求中表现最强劲的应用。
2016/12/13
半导体,
闪存
PDF
市场消息指出，希捷科技及SK海力士将联合宣布在美国成立新合资公司，共同进军SSD（固态硬盘）领域
2016/12/12
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）最新研究显示，受惠于强劲的智能手机出货、eMMC/eMCP平均搭载容量提升及SSD的稳健成长，第四季NAND Flash缺货情况达今年最高峰，各产品类别价格续创年度新高，预估缺货态势将持续至2017年第一季，届时企业级与消费级SSD合约价涨幅将超过10%，行动式相关产品的eMMC/UFS价格涨幅将更高。
第四季NAND Flash渠道端颗粒与wafer价格创下年度新高、eMMC/UFS合约价季涨幅9～13%，企业级与消费级SSD合约价也上涨5～10%。DRAMeXchange研究协理杨文得表示，整体缺货状况可分为两方面，从供给端分析来看，各家NAND Flash原厂转进3D-NAND的速度加快，但除了三星外，厂商在转换过程中良率提升进度较缓，使得3D-NAND供应吃紧，而制程转换造成2D-NAND的供给快速下滑，也让2D-NAND缺货的情况更为明显。
从需求端观察，现阶段eMMC/eMCP与UFS等产品仍属2D-NAND制程，在中国智能手机品牌如华为、OPPO、vivo出货表现强劲下，持续追加高容量eMMC/eMCP的订单需求，是2D-NAND缺货最大的因素，同时也让NAND原厂将产能多数供应手机业者，大幅减低供货给模组厂的比重，间接使渠道颗粒及wafer价格也跟着上涨。
杨文得表示，在2D-NAND供货持续紧缩、手机行动式NAND平均搭载量及SSD需求仍稳健提升之下，预期NAND Flash在OEM（代工厂）端缺货的态势将延续至2017年第一季，价格再攀新高。不过，由于NAND Flash价格从今年第二季起涨，累计涨幅已有相当程度，目前渠道端终端的售价调整已让需求上升速度有减缓迹象，智能手机及个人计算机厂的储存成本也大大攀升，掌握整机成本的难度更为增加，因此，虽然第一季NAND Flash涨价格局已然确立，但后续的价格走势将更依赖智能手机出货与平均搭载容量的提升情况，及各NAND Flash厂3D-NAND制程转进的进度。
2016/12/01
TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange（全球半导体观察）最新调查显示，受惠于智能手机需求强劲，及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少，第三季NAND Flash开始涨价，使得NAND Flash原厂营收季成长196%，营业利益率也较上季大幅进步。
DRAMeXchange研究协理杨文得表示，第四季各项终端设备出货进入今年最高峰，预估整体NAND Flash供不应求的市况将更为显著，各项NAND Flash产品的合约价涨幅将更高，厂商的营收与营业利益率也可望再创今年新高。
三星电子
由于第三季中国智能手机品牌对于高容量eMMC／UFS的需求强劲，让三星成为最大赢家。三星在高容量的eMMC／UFS与eMCP市占率领先同业，企业级SSD产品更借出色的性价比出货强劲。第三季三星NAND Flash位元出货量季成长约20%，营收季成长约20%。
展望第四季，智能手机的需求将带动高容量eMMC／UFS与eMCP的需求攀升至年度高点，再加上三星在用户级、企业级SSD的市占率增加，预估第四季三星的营运表现将较第三季更出色。
SK海力士
同样受惠中国智能手机的eMMC／eMCP需求，及其他品牌新机上市的备货需求带动，使得第三季SK海力士NAND Flash位元出货量季增12%，平均销售单价更季成长7%，营收亦大幅季增203%，至1061亿美元。
SK海力士3D-NAND Flash的产能在今年底前将达每月2～3万片，第三代3D-NAND Flash明年第一季可开始放量出货，第四代的3D-NAND Flash有机会在明年下半开始少量生产。
东芝电子
同样受惠于整体NAND Flash市况好转，东芝电子在其会计年度2016年第二季（7～9月）位元出货量季增15%，平均销售单价跌幅减缓，整体营收季增约17%，营业利益率也呈现季成长，营运表现渐入佳境。
产能规划部分，东芝电子现有第二半导体厂已全力生产3D-NAND Flash，第四季产能达每月４万片，待2017年64层堆栈的3D-NAND Flash顺利量产后，产能提升速度将更快，而其第六半导体厂房新建计划，将从明年二月开始动工。
西数
从西数2017会计年度第一季相关NAND Flash的表现来看，其64层堆栈的3D-NAND Flash是投资焦点。目前64层堆栈的3D-NAND Flash产品正处OEM客户测试阶段，预计今年12月起率先使用在卡片及随身碟等产品上，而其48层堆栈的产品已在eMMC／eMCP等行动式NAND及外插式产品在线量产。
现阶段15纳米 2D-NAND Flash仍为西数主流制程，良率及成本效益都已达最佳化，因此对利润提升有很大帮助，2017年西数的NAND Flash位元产出成长率预期将达45%。
美光
美光2016会计年度第四季（6～8月）位元出货量季成长13%，平均销售单价下滑1%，非挥发性内存（Non-Volatile）营收季成长约10%，至10亿美元，在产品营收比重上，Component base略微下降至50%、行动式NAND产品微幅上升至18%、SSD则占13%，车用及其他类别占约19%。
美光3D-NAND Flash架构的行动式NAND在客户端得到不错评价外，用户级SSD也已开始量产出货，而企业级SSD位元出货量更大幅季成长逾45%。此外，等到美光3D-NAND Flash（TLC）版本成为主流后，将可改善美光SSD的成本架构。
英特尔
第三季英特尔NAND Flash位元出货量大幅季增25%以上，营收也季成长17%，至649亿美元，结束连续三个季度的衰退。
从产品规划来看，虽然英特尔16纳米与20纳米依旧为产品组合大宗，但自第三季起其3D-NAND Flash的企业级固态硬盘已顺利出货放量，性价比已较上个世代产品更具竞争力。在产能规划上，英特尔大连厂第四季产能约为每月1万片，至明年开始将逐季提升。
