研究报告


2025 全球GaN Power Device市场分析报告

高科技产业研究报告

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发布日期

2025-07-31

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更新频率

不定期

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报告格式

PDF

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  • 第三代半导体报告

  • GaN Power Device市场分析报告


    报告介绍

    本报告针对全球氮化镓功率器件市场进行深入分析,提供产业最新发展、趋势、挑战与机会,协助企业掌握市场动态并制定策略。

    重点摘要 

    • GaN正处于“从单点爆发(消费电子快充)向多领域扩张”的转折期,技术与应用双轮驱动,预计未来2–3年进入加速放量阶段,真正迎来全面爆发。
    • AI服务器、人形机器人、汽车OBC、光伏微型逆变器是GaN的主要潜力应用方向。
    • GaN向900V–1200V高压应用推进,挑战SiC部分市场,新结构(Vertical GaN)和新材料平台(GaN-on-Sapphire/Qst/GaN)将是关键。
    • GaN集成化趋势明显,推动高效、高密度、低EMI电源系统成为可能。
    • 8英寸晶圆即将成为GaN市场主流尺寸,12英寸晶圆亦有望在未来10年内进入量产。

    目录

    1. 概况
    2. GaN Power Device产业链生态分析
    3. GaN Power Device应用场景分析
    4. 主要GaN厂商动态分析
    5. 中国GaN市场情况
    6. TrendForce’s View

    <报告页数:85>

    2024 GaN Power Device供应商营收份额


    报告分析师

    TrendForce




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    1. Overview
    2. SiC Substrates & Epitaxy
    3. SiC Power Devices
    4. Automotive SiC
    5. SiC Equipment
    6. Analysis of Major SiC Players
    7. Focus on Chinese SiC Market
    8. TrendForce's View

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    1. 中国功率元件产业现状
    2. 中国SiC衬底市场分析
    3. 中国SiC外延片市场分析
    4. 中国SiC功率元件市场分析
    5. 中国主要SiC厂商动态分析
    6. 中国SiC产业的2024回顾与2025展望




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