研究报告


半导体


内存擂台-探讨 DRAM 与 NAND Flash 未来演进发展与竞合关系

2012/01/17

内存 , 闪存

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PC-DRAM 因为行动手持装置的兴起,在需求端与供给端皆面临巨大的影响。从需求面来看,消费者对于 PC 的需求,受到平板计算机的冲击而下滑,使得原先市场成长力道已低的 PC 市况更显疲弱,这对PC-DRAM 市场来说,无疑是一大考验;若从供给端来分析,全球 DRAM厂商为了因应行动手持装置兴起,纷纷切入 Mobile DRAM 市场,并透过调整产能与产品组合的方式,以减轻 PC-DRAM 需求下滑的冲击...

2012年1月上旬 NAND Flash合約价格

2012/01/16

闪存

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According to DRAMeXchange, a research division of TrendForce, 1H'Jan. mainstream NAND Flash contract price...

2012年1月上旬 DRAM合约价格

2012/01/10

内存

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根据集邦科技(Trendforce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查,1月上旬合约价...

DRAM 产业分析报告-4Q11

2011/11/11

内存 , 笔记型电脑 , 智能手机 +1

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全球DRAM产业于第三季度营收总计为约65.66亿美元,由于总体经济持续疲弱、供过于求情况加剧,第三季DDR3 4GB合约价均价由31美元下跌至19.5美,跌幅将近37%,第三季DRAM厂总营收与上季相较大幅衰退19.4%,除了三星半导体外,其余DRAM厂皆缴出亏损财报,加上DRAM厂于第四季积极转进30nm制程与DDR3 4Gb颗粒,2012年上半年供过于求仍超过15%,势必将加速DRAM产业的减产甚至整并...

NAND Flash 产业分析报告-4Q11

2011/11/11

闪存 , 笔记型电脑 , 智能手机 +1

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受全球经济复苏的不确定因素影响,多数供货商对1H12的市况多倾向保守,因此1H12的位元成长将会以制程技术升级为主来强化成本的竞争力,2H12时才会视市场需求的状况来适度地增加新的300mm晶圆产能,以缩小NAND Flash市场供过于求的缺口,以期能减缓价格下跌对获利性的冲击影响程度,预期主力制程技术将由2H11的2xnm级转进至2H12的 2ynm级,因此集邦预估全球NAND Flash市场位元供给量将由2011年的9213 M 16Gb equiv.成长67.7% YoY成为2012年的15448 M 16Gb equiv...

全球行动式内存市场 2011 年现况分析与 2012 年展望

2011/10/04

内存

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标准型 DRAM 再度陷入价格战,行动式内存成为兵家必争之地...

DRAM 产业分析报告-3Q11

2011/08/17

内存 , 笔记型电脑 , 智能手机 +1

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根据集邦科技(TrendForce)旗下研究部门DRAMeXchange的调查,全球DRAM产业于第二季度营收总计为约81亿美元,受到日本地震所带来的缺货预期因素而有微幅回升,但受到茂德投片减少以及力晶转进非DRAM产品增加的影响,总营收与上季相比呈现1.9%的小幅衰退...

NAND Flash 产业分析报告-3Q11

2011/08/17

闪存 , 笔记型电脑 , 智能手机 +1

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受到全球总体经济因素的干扰,第二季系统产品如智能型手机与平板计算机出货出货表现不如预期,零售记忆卡与随身碟市场同时对于第三季景气的不确定性升高与下半年旺季效应保持谨慎的态度,因此集邦科技预估2011年的NAND Flash位元需求量将成长72.4%YoY达到8,925M 16Gb equiv...