研究报告


NAND 3XX层世代—架构转型的必然与Base Die的崛起

高科技产业研究报告

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发布日期

2026-04-27

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更新频率

不定期

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报告格式

PDF

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    报告介绍

    受人工智能推升,新世代高阶NAND成为主流。因传统垂直堆栈面临物理极限与效能衰退,产业核心转向架构创新。透过将逻辑电路与存储器分离制造并垂直键合的异质整合技术,突破传输瓶颈,奠定未来竞争优势。

    重点摘要

    • AI推升需求:高阶数据储存需求大增,推动高层数NAND成为大厂开发核心。
    • 遭遇物理极限:传统垂直堆栈面临高难度蚀刻、讯号延迟与良率衰退等瓶颈。
    • 架构分离创新:解方转向将逻辑电路与存储器数组分开制造,再以混合键合结合。
    • 异质整合决胜:产业由「层数竞赛」转为「架构竞争」,晶圆代工合作成胜负关键。

    目录

    1. 2XX层成为产业主轴:AI推升技术升级
      • Comparison of 3XX-L Product Specifications Among the Top Six NAND Flash Suppliers
    2. CMOS技术堆栈的效能极限:300层是道坎
      • Read/Write Performance Degradation Due to Increased Layer Counts (Illustration of RC Delay)
    3. Base Die/Peripheral Die与CBA架构:逻辑与存储器的重新分工
      • Cross-Sectional Comparison of NAND Architectures: Conventional CUA v.s. CBA/Xtacking
    4. 从堆栈竞赛到架构竞争:3XX层之后的产业逻辑
      • Evolution (ONFI) of Speed (MT/s) for NAND I/O Interfaces

    <Total Pages: 6>

    Evolution (ONFI) of Speed (MT/s) for NAND I/O Interfaces


    报告分析师

    TrendForce

    Topology




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