研究报告


NAND 3XX层世代—架构转型的必然与Base Die的崛起

高科技产业研究报告

icon

发布日期

2026-04-27

icon

更新频率

不定期

icon

报告格式

PDF

icon

会员方案

  • 闪存白金


    报告介绍

    受人工智能推升,新世代高阶NAND成为主流。因传统垂直堆栈面临物理极限与效能衰退,产业核心转向架构创新。透过将逻辑电路与存储器分离制造并垂直键合的异质整合技术,突破传输瓶颈,奠定未来竞争优势。

    重点摘要

    • AI推升需求:高阶数据储存需求大增,推动高层数NAND成为大厂开发核心。
    • 遭遇物理极限:传统垂直堆栈面临高难度蚀刻、讯号延迟与良率衰退等瓶颈。
    • 架构分离创新:解方转向将逻辑电路与存储器数组分开制造,再以混合键合结合。
    • 异质整合决胜:产业由「层数竞赛」转为「架构竞争」,晶圆代工合作成胜负关键。

    目录

    1. 2XX层成为产业主轴:AI推升技术升级
      • Comparison of 3XX-L Product Specifications Among the Top Six NAND Flash Suppliers
    2. CMOS技术堆栈的效能极限:300层是道坎
      • Read/Write Performance Degradation Due to Increased Layer Counts (Illustration of RC Delay)
    3. Base Die/Peripheral Die与CBA架构:逻辑与存储器的重新分工
      • Cross-Sectional Comparison of NAND Architectures: Conventional CUA v.s. CBA/Xtacking
    4. 从堆栈竞赛到架构竞争:3XX层之后的产业逻辑
      • Evolution (ONFI) of Speed (MT/s) for NAND I/O Interfaces

    <Total Pages: 6>

    Evolution (ONFI) of Speed (MT/s) for NAND I/O Interfaces


    报告分析师

    TrendForce

    Topology




    闪存白金 相关报告



    2026年7月闪存每月数据

    2026/07/15

    闪存 , 笔记型电脑 , 智能手机 , 平板电脑

     EXCEL

    TrendForce为您提供一个完整的NAND Flash产业分析,成本分析和价格预测。

    SLC NAND 价格强势爆发:2026 下半年全球产能断层与替代潮分析

    2026/07/06

    闪存

     PDF

    存储器大厂将产能全面转向高附加价值先进制程,导致成熟制程产能严重收缩。此结构性转变引发原传统制程芯片严重缺货,迫使工业与车用等客户在MLC供应极缺下,改以SLC作为替代方案。在需求外溢与供给断层双重冲击下,预期下半年SLC芯片价格将迎来爆发性结构性上涨,市场规模由出货量驱动转为价格驱动。

    NAND Flash产业分析报告-2026年Q2

    2026/06/08

    闪存

     PDF

    受到人工智能应用爆发与云端服务业者长约锁定影响,企业级固态硬盘需求极为强劲。在原厂产能扩张保守且优先供应高毛利服务器市场的结构性失衡下,导致消费性电子市场面临断料与成本转嫁危机。整体产业正进入由人工智能驱动的高利润周期,合约价格持续攀升。




    会员方案





    分類