研究报告


NAND 3XX层世代—架构转型的必然与Base Die的崛起

高科技产业研究报告

icon

发布日期

2026-04-27

icon

更新频率

不定期

icon

报告格式

PDF

icon

会员方案

  • 闪存白金


    报告介绍

    受人工智能推升,新世代高阶NAND成为主流。因传统垂直堆栈面临物理极限与效能衰退,产业核心转向架构创新。透过将逻辑电路与存储器分离制造并垂直键合的异质整合技术,突破传输瓶颈,奠定未来竞争优势。

    重点摘要

    • AI推升需求:高阶数据储存需求大增,推动高层数NAND成为大厂开发核心。
    • 遭遇物理极限:传统垂直堆栈面临高难度蚀刻、讯号延迟与良率衰退等瓶颈。
    • 架构分离创新:解方转向将逻辑电路与存储器数组分开制造,再以混合键合结合。
    • 异质整合决胜:产业由「层数竞赛」转为「架构竞争」,晶圆代工合作成胜负关键。

    目录

    1. 2XX层成为产业主轴:AI推升技术升级
      • Comparison of 3XX-L Product Specifications Among the Top Six NAND Flash Suppliers
    2. CMOS技术堆栈的效能极限:300层是道坎
      • Read/Write Performance Degradation Due to Increased Layer Counts (Illustration of RC Delay)
    3. Base Die/Peripheral Die与CBA架构:逻辑与存储器的重新分工
      • Cross-Sectional Comparison of NAND Architectures: Conventional CUA v.s. CBA/Xtacking
    4. 从堆栈竞赛到架构竞争:3XX层之后的产业逻辑
      • Evolution (ONFI) of Speed (MT/s) for NAND I/O Interfaces

    <Total Pages: 6>

    Evolution (ONFI) of Speed (MT/s) for NAND I/O Interfaces


    报告分析师

    TrendForce

    Topology




    闪存白金 相关报告



    2026年9月闪存每月数据

    2026/09/17

    闪存 , 笔记型电脑 , 智能手机 , 平板电脑

     EXCEL

    TrendForce为您提供一个完整的NAND Flash产业分析,成本分析和价格预测。

    2027 NAND双轨化:Enterprise SSD涨势确立,消费级承压

    2026/09/16

    闪存

     PDF

    2027年全球NAND市场迈入双轨时代,Enterprise SSD受AI云端需求推动持续上涨,消费级产品却因需求疲软与中国产能大量释放而价格承压,产业竞争格局面临根本性重组

    NAND Flash产业分析报告-2026年Q3

    2026/09/10

    闪存

     PDF

    受人工智能与云端服务需求驱动,企业级储存产品供不应求,带动存储器平均售价与产业总营收大幅成长。相对地,消费性电子产品受到成本居高不下与备货策略转趋保守影响,需求表现疲软,使市场呈现结构性供需分化,未来涨势预计逐渐放缓。




    会员方案





    分類