根据市场研究机构Trendforce旗下内存储存事业处DRAMexchange调查显示，全球行动式内存总营收在4Q14达到36.07亿美元，季成长4.2%，占DRAM总产值的27.8%。就2014整年而言，以出货比例来看，行动式内存占总出货已经接近4成，与过往相较其比重持续增加。若由平均销售单价观察，虽然行动式内存价格于4Q14小幅下滑5%，但受惠于智能型手机的需求持续增长，尤其在iphone6与iphone6 plus的带动之下，位元出货增加，全球行动式内存营收持续向上增长...
全球DRAM市场第四季展现出淡季不淡的市场趋势，笔电出货量不仅没有衰退，较第四季更小幅成长，其出货量达47M，虽然合约价格自去年11月缓步下跌，但第四季整体合约均价仍略高于第三季；再加上一线大厂积极转进20/25nm制程，产出增加下，让第四季营收再度成长8.0%，达到130亿美元，单季营收再度创下新高...
回顾第四季的NAND Flash市场，以iPhone6/6Plus带头的OEM 行动装置出货高峰潮带动下，整体市况持续维持供需均衡的态势，整体NAND Flash营收持续稳健增长外，各家NAND Flash业者的营业利益率，也维持与第三季相同的水平...
2014年全年中国智能型手机出货量为4.53亿支，年成长54.8%，无疑是中国品牌厂商大放异彩的一年，全球占比持续创新高...
回顾第三季的NAND Flash市场，受惠于苹果iPhone6/6Plus的NAND Flash需求备货强劲的带动下，让整体市况从上半年较为明显的供过于求转为供需均衡的态势，也让第三季NAND Flash颗粒合约价均价较第二季微幅增加5-6%QoQ，各家NAND Flash业者的营业利益率也普遍较第二季表现更为稳健...
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，全球行动式内存总营收在3Q14达34.6亿美元，季成长6.0%，占DRAM总产值的29%，较上一个季度(2Q14)的30%小幅下滑。由于全球DRAM产能仍处于微幅吃紧状态，所以第三季行动式内存虽然价格有小幅度下滑，但由于位元产出增加，使得全球行动式内存总产值还是向上提升...
全球DRAM产业由于第三季iPhone6出货在即，三大DRAM厂莫不备战，调配旗下产能以应付Apple庞大行动式内存的需求；排挤效应下，标准型内存产出减少，不光第三季合约价格持续上涨，供货吃紧下标准型内存仍蝉联毛利最高的DRAM产品。此举亦带动今年第三季DRAM产值达120亿美元，较上季成长11%，单季营收再度创下新高，在各DRAM厂产品比重调配得宜与先进制程产出增加下，其获利能力皆进一步提升。获利能力来看，三大DRAM厂中，三星仍表现最佳，营业利益率(Operating Margin)达42%，SK海力士则紧追在后达40%，美光集团由于生产主轴仍以30nm制程为主，毛利率约24.1%，为三大DRAM厂最低。但在DRAM产业寡占结构下，市场仍是维持稳定获利的格局走势，预估2014年DRAM产值可望来到461亿美元，2015年更将来到520亿美元规模，预计成长近13%...
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange调查显示，全球行动式内存总营收在2Q14达33亿美元，占DRAM总产值的31%，较1Q14的29%小幅上升。由于全球DRAM产能吃紧下，第二季行动式内存价格已经止跌回稳，加上中国手机品牌厂的崛起与4G市场的热络，更让行动式内存出货畅旺，产值亦较上季成长12%...
回顾第二季的NAND Flash市场，虽然六月份在OEM厂商提前为第三季的出货做备货的带动下，整体盘势筑底反弹，但由于四月份与五月份整体市况呈现供过于求的情形，影响整体第二季的NAND Flash颗粒价格平均较前季下滑5-10%，供货商的营收与营业利益数字也同步下滑...
根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，全球DRAM产业由于智能型手机的高度成长，在产能调配下，行动式内存已经跃升为比重最高的产品；受排挤效应影响，标准型内存产出减少，且因供货吃紧带动，成为毛利最高的产品，使第二季合约价格呈现持续上涨趋势。今年第二季全球DRAM产值单季营收达百亿美元规模至108亿美元，较上季成长9%，在各DRAM厂产品比重调配得宜下，其获利能力皆进一步上升。以获利能力来看，三大DRAM厂中，三星仍表现最佳，营业利益率(operating margin)达39%，SK海力士则紧追在后达38%，美光集团中以华亚科营业利益率达全DRAM厂之冠至55%最为亮眼。寡占结构与供货持续吃紧下，整体DRAM市场亦形成价格欲跌不易的市场格局。预估2014年DRAM产值可望来到468亿美元，较2013年大幅成长36%...
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