集邦咨询：三星跳电事件激励买方预期性补货，1Q20 DRAM合约价起涨

• 标准型、行动式及利基型内存第一季价格由「小跌」调整为「持平或小涨」
• DRAM原厂供给成长有限，买方积极扩大采购量以提高库存水位

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，随着近一个月来DRAM现货价格持续走扬，加上2019年12月31号三星华城厂区发生跳电，虽然整体内存的供给并没有因此事件受到重大影响，但观察到各产品别买方备货意愿进一步增强。因此，集邦咨询再次修正2020年第一季DRAM合约价格预测，由原先的「大致持平」调整为「小涨」，价格正式提前翻转向上。

标准型内存方面，虽然第一季的价格仍在议定中，但集邦咨询预估持平甚至小涨的可能性高。之前在中美贸易关税的不确定性下，大部分销往美国的笔电都赶在2019年第四季出货，导致2020年第一季的出货较为疲弱。但考量今年DRAM的供给位元成长幅度仅不到13%，加上三星跳电事件的影响，PC OEM厂已做好DRAM即将涨价的可能，当前都以建立更佳的库存水位为目标，因此在采购上愿意接受持平或更高的模组合约价格；若原厂能够在第一季增加供货量，买方甚至愿意接受更高的价格，以确保安全的库存水位。

行动式内存方面，虽然第一季智能手机市场在5G的议题下所有支撑，但因5G芯片初期供应数量有限，加上传统淡季影响，拉货动能依旧偏弱，因此集邦咨询原先预测行动式内存Discrete/eMCP价格将较前一季下跌0-5%。然而自去年12月中开始，除了服务器内存与图形处理内存需求增温，带动整体价格走势提前反转之外，NAND Flash的供应告急同样激励eMCP的价格表现，因此将行动式内存的价格预估由「小跌」调整为「大致持平」。

至于利基型内存，由于三星华城厂区Line 13的DRAM生产重心主要为20/25nm的利基型内存产品，加上受到现货市场价格上扬的影响最为直接，使得利基型内存价格将提早反弹。目前来看，虽然锁定季度合约价(quarterly lock-in price)的第一线大客户有机会守住持平，不过原厂的供货达成率(fulfillment rate)不到6成，加上采购端截至去年底皆未积极备货，导致库存偏低，月合约价可能将开始逐月向上；此外，重复下单(double-booking)的出现亦可能导致原厂的供货达成率进一步恶化，因此第一季DDR3和DDR4的价格预估将较前一季上涨0-5%。