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TrendForce:武汉新芯与紫光集团联手,中国NAND Flash产业迈入新篇章


27 July 2016 半导体 / LED 杨文得

紫光集团预计于武汉成立长江存储科技,未来将纳入武汉新芯并统筹旗下一切存发展项目,目前整体规划朝向NAND Flash产业发展。TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)研究协理杨文得表示,紫光集团与武汉新芯联手,使中国存储器产业发展进入新篇章,可望为后续中国布局自主性存产业带来进展。中国厂商近一年来通过布局存产业所展现的规划力、执行力与弹性均不容小觑,未来一举一动都将牵动全球存产业格局。

DRAMeXchange预估2011~2016年NAND Flash位元需求量的年复合增长率高达47%,在SSD需求高度增长的带动下,NAND Flash未来10年可望皆维持高度增长态势,因而紫光集团与武汉新芯目前的发展将着力于NAND Flash产业。杨文得指出,武汉新芯原为NOR Flash大厂,在生产经验、厂房与产能建置等基础建设领域有所擅长,而紫光集团则在资金募集及策略并购等方面均有过人之处,透过两强携手整合资源,能使中国存产业投资的整体资源分配更加集中,并在整合上产生更多综效,对内可以在未来中国存产业的发展中瞄准较佳的地位,对外则能提升产业上谈判的筹码,有助于中国建立产业自主性,后续发展值得关注。

现阶段武汉新芯在NAND Flash的布局领先其他中国存业者,其与飞索半导体合作开发的3D-NAND Flash技术正持续往32层堆叠的初期量产目标迈进,今年三月也在大基金的支持下兴建新3D-NAND Flash厂,预计2018上半年实现量产目标。至于其他NAND Flash业者,三星除西安厂的投资外,韩国平泽厂区也规划新的3D-NAND Flash产能。东芝电子与西数(WD)公司旗下闪迪(SanDisk)在日本Fab2厂的产能持续增加,新厂也可望自2018下半年投产最新制程的3D-NAND。SK海力士则除现阶段M11与M12厂外,M14厂第二阶段3D-NAND的生产也将从明年第一季开始进行。美光现除了新加坡Fab10X的扩建外,并未有新厂规划。杨文得进一步表示,由于3D-NAND Flash的厂房新建等投资远高于2D-NAND Flash的数倍,因此美光集团若能与紫光集团/武汉新芯比照”华亚科”模式合作(美光提供生产技术,合作方提供资金与生产产能),则能以较低的财务负担来获取长期新产能的布建,更有机会在市占率拉近与三星和东芝/西数阵营的距离。因此紫光集团与武汉新芯的联手格外引人瞩目。


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