全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，虽然三星与SK海力士的新工厂仍将于2015年陆续完工，但明年度的投片计划正仍在进行调整，如三星Line17工厂原本预定第二季大量投片的计划已经递延，自明年第二季从每月10K开始增加，采随市场状况的渐进式增产，此举不光可以稳定获利结构，亦可随时调整产品类别与比重，预计明年年末投片暂定为40K。
今年以来DRAM市场一直呈现供货吃紧、价格持续走扬的市况来规划未来需求，DRAM厂纷纷决定自2014年第四季开始增加产能。全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示，按照DRAM厂现有的规划，2015年制程微缩与新增产能贡献产出年增率将逼近30%，现有的DRAM产业的寡占架构将面临重大挑战，若明年总体经济状况不如预期，此举恐怕导致DRAM供过于求的情况再现，压缩DRAM厂现有的获利空间。
TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，由于智能型手机、平板计算机等行动装置需求稳健成长，固态硬盘在笔记本电脑以及服务器与数据中心的需求增加，而物联网应用也将逐渐导入NAND Flash，2015年NAND Flash整体产业规模将提升至266亿美元，年成长9%。
第二季开始由于DRAM没有新增产能与2Xnm制程转进不易，加上服务器、智能型手机等中短需求迈入旺季，DRAM价格一路攀升，其中现货主流颗粒DDR3 1600MHz 4Gb价格最高曾在7月18日飙上US$4.6。根据全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange报价显示，近期现货价格明显呈现涨多格局，以七月下旬合约价格为例，DDR3 4Gb均价为US$3.69，而7月31日的现货均价为US$4.35，两者出现18%的价差。
全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，2014年第二季全球行动式内存总营收季成长29%达33亿美元，占DRAM总产值的31%。在全球DRAM产能吃紧情况下，第二季行动式内存价格止跌回稳，而中国手机品牌厂的崛起与4G市场的热络更让行动式内存出货畅旺，整体产值较上季成长12%。三星半导体依然稳居市占龙头，而SK海力士再度夺回第二名的位置，营收成长来到34.8%，为全球DRAM厂之冠，与美光的市占率差距也大幅拉大，显示SK海力士在标准型内存与行动式内存间取得产出平衡点策略出现成效。