产业洞察

集邦咨询:长江存储如期发布128层产品,2021年NAND Flash市场竞争加剧


20 April 2020 半导体 TrendForce / 叶茂盛

  • 疫情对主流厂商冲击较大,长江存储目标今年年底前量产128层产品

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查,中国NAND Flash厂商长江存储(YMTC)已在第一季将128层3D NAND样品送交存储控制器厂商,目标第三季进入投片、年底前量产,拟用于UFS、SSD等各类终端产品,并同时出货给模组厂。考量客户导入时程,预估长江存储新产品可能率先影响第四季Wafer市场合约价,并自2021年起对Client SSD、eMMC/UFS等市场供给产生实质贡献,在供给增加的情况下,价格下跌的可能性也将提高。

集邦咨询表示,受到疫情影响,智能手机及笔记本电脑等终端需求将受到不小冲击,并对NAND Flash主流供应商获利能力造成影响,抑制未来持续扩产的幅度。相较之下,长江存储目前在各类应用的市占规模仍小,因此受疫情影响较低。当前目标将着重于与OEM进行64层TLC的相关产品导入及提升良率,并赶在今年内送交128层产品样品,将同时包含TLC以及QLC产品,以扩大客户基础。

3D NAND堆栈难度渐增,有利长江存储缩小差距

随着3D NAND Flash堆栈达到90层以上,主要供应商在更高层数蚀刻及堆栈技术的发展难度逐渐增加。观察各供应商的技术路线图,在1XX层的产品世代已有分歧:尽管三星(Samsung)、SK海力士(SK Hynix)已推出128层产品,但铠侠/西数(Kioxia/WD)、美光(Micron)、英特尔(Intel)的112/128/144层产品要到下半年才会放量,相比前几代3D NAND产品的发展进程来得更久,有利于长江存储的128层产品迎头赶上。

除此之外,2019年NAND Flash的价格平均跌幅达46%,导致主要供应商陷入亏损,资本支出因而转为保守,产出增长规划亦创下历史新低,这也让长江存储有了拉近差距的机会。

2021年长江存储产能预估占整体NAND Flash约8%

身为新进供应商的长江存储目前拥有武汉厂,今年目标是成都厂开始投产,并逐步完成武汉厂区剩余二座厂房的兴建与扩产。除了扩张规划积极,长江存储也是国家大基金的重点扶植厂商,可以预期NAND Flash市场竞争将更为严峻,长期价格面临持续走跌的压力。


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