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TrendForce:九月DRAM合约均价续涨逾7%,第四季将攀登两年新高


3 October 2016 半导体 吴雅婷

TrendForce集邦科技旗下存储研究品牌DRAMeXchange(全球半导体观察)表示,随着DRAM原厂持续调整产出比重,标准型内存在供货持续吃紧下,九月合约价维持强劲上涨走势,均价已来到14.5美元,月涨幅达7.4%,在全球笔电需求出乎意料大增的情况下,预估第四季的合约价季涨幅将直逼三成,创下两年来的新高点。

DRAMeXchange研究协理吴雅婷表示,DRAM现货颗粒价格涨幅更为剧烈,如DDR3/4 4Gb价格分别来到2.1/2.0美元,较上月同期已各上涨19%与15%,显见市场供不应求的态势持续扩大。

从供需状况来看,第三季智能手机、笔电正处备货高峰,再加上行动式内存产出扩大至整体产出的四成以上,使得标准型内存产出遭到排挤,至目前仅剩不到二成。此外,适逢传统销售旺季即将来临,笔电配置8GB内存的新款机种数量也在迅速攀升中,尤以商务机种最为明显。

吴雅婷指出,第三季PC-OEM客户已开始对标准型内存追价与追量,带动第四季还有一波更高的涨幅。不仅如此,第四季标准型内存需求大增,超过DRAM原厂的预估,使得供需失衡更加雪上加霜。

由于原厂标准型内存呈现供货吃紧,九月PC-OEM厂已积极议定第四季度的价格。吴雅婷表示,第四季DRAM合约价大战提前开打,主因在于标准型内存产能转进行动式与服务器用内存的速度过快,加上部分厂商20/21纳米良率提升不如预期,恐难满足原先预估的需求,因此引起PC-OEM的恐慌而加量抢货,并亟欲提高现有库存水位来稳定自身的DRAM需求。

NAND产品同时缺货,第四季eMCP产品涨幅可达1015%

吴雅婷进一步表示,此波的抢货作战产生的连锁效应,使得服务器用内存也呈现涨价,自第三季以来有约10%的上涨,行动式内存则在NAND产品同时缺货下,第四季eMCP产品至少有10~15%的涨幅。


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